[发明专利]图像传感器无效
申请号: | 200710147161.3 | 申请日: | 2007-08-30 |
公开(公告)号: | CN101136423A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 任劲赫 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,其包括:
衬底,在其上具有光电二极管;
介电层,位于所述衬底上;
钝化层,位于所述介电层上,并暴露出对应于第一滤色镜的区域中的介电层;和
滤色层,位于暴露出的介电层和所述钝化层上。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述滤色层包括:
第一滤色镜,位于暴露出的介电层上;和
第二滤色镜,位于所述钝化层上。
3.如权利要求1所述的图像传感器,进一步包括:
平坦化层,位于所述滤色层上;和
微透镜,位于所述平坦化层上。
4.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述钝化层暴露出蓝滤色镜区域。
5.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述钝化层暴露出绿滤色镜区域。
6.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述钝化层暴露出红滤色镜区域。
7.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述钝化层包括SiN。
8.一种图像传感器,其包括:
隔离层,位于衬底上;
有源区域,位于所述衬底中,以使对应于第一颜色的区域比对应于另一颜色的区域深;
离子注入区域,位于所述有源区域的整个表面上;
光电二极管区域,位于所述离子注入区域下面的衬底中;和
介电层,位于所述衬底上。
9.如权利要求8所述的图像传感器,进一步包括:
滤色层,位于所述介电层上;和
微透镜,位于所述滤色层上或上方。
10.如权利要求9所述的图像传感器,其中所述滤色层不具有阶梯差。
11.如权利要求8所述的图像传感器,其中所述有源区域具有10nm至100nm的深度差。
12.如权利要求8所述的图像传感器,进一步包括钝化层,位于所述介电层上。
13.如权利要求8所述的图像传感器,其中所述第一颜色为绿色。
14.一种图像传感器,其包括:
有源区域,位于衬底中;
离子注入区域,位于所述有源区域的整个表面上;
光电二极管区域,位于所述离子注入区域下面;
介电层,位于所述衬底上,以使对应于所述第一颜色的区域比对应于另一颜色的区域高;和
滤色层,位于所述介电层上。
15.如权利要求14所述的图像传感器,进一步包括微透镜,位于所述滤色层上。
16.如权利要求14所述的图像传感器,其中所述滤色层在各颜色之间具有阶梯差。
17.如权利要求16所述的图像传感器,其中对应于所述第一颜色的第一滤色镜比对应于另一颜色的滤色镜高。
18.如权利要求14所述的图像传感器,其中所述介电层具有10nm至100nm的深度差。
19.如权利要求14所述的图像传感器,进一步包括钝化层,位于所述层间介电层上。
20.如权利要求14所述的图像传感器,其中所述第一颜色为绿色。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的