[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

具有有源区域的导电半导体衬底；

形成在所述有源区域上的光电二极管；以及

形成在所述有源区域上并与所述光电二极管电连接的耗尽层，所述耗尽层包括：

第一导电杂质掺杂层，

第二导电杂质掺杂层；以及

在第一导电杂质掺杂层和第二导电杂质掺杂层之间的结部分。

2.如权利要求1所述的装置，进一步包括限定所述有源区域的器件隔离区域。

3.如权利要求1所述的装置，其中所述装置为CMOS图像传感器。

4.如权利要求1所述的装置，其中所述第一导电杂质掺杂层被设置在所述第二导电杂质掺杂层上。

5.如权利要求1所述的装置，其中基本上第一导电杂质掺杂层全部被掺杂。

6.如权利要求1所述的装置，其中所述第一导电杂质掺杂层的第一部分被掺杂，而所述第一导电杂质掺杂层的第二部分没有被掺杂。

7.如权利要求6所述的装置，进一步包括通过所述第二部分形成的接触部分。

8.一种方法，包括：

在导电半导体衬底的有源区域上形成栅极；

在所述有源区域上形成光电二极管；

在所述栅极中形成耗尽层；以及

将所述光电二极管与所述栅极电连接。

9.如权利要求8所述的方法，其中形成光电二极管的步骤进一步包括：

通过将第二导电杂质离子注入到所述有源区域中，形成第二导电光电二极管区域；以及

在所述第二导电光电二极管区域中形成第一光电二极管导电区域，其中所述第一光电二极管导电区域具有第一导电杂质。

10.如权利要求8所述的方法，其中形成该耗尽层的步骤进一步包括：

将第一导电杂质离子注入到所述栅极中；以及

将第二导电杂质离子注入到所述栅极中。

11.如权利要求10所述的方法，其中形成光电二极管的步骤进一步包括：

通过将第二导电杂质离子注入到所述有源区域中，形成第二导电光电二极管区域；以及

在所述第二导电光电二极管区域中形成第一光电二极管导电区域，其中该第一光电二极管导电区域具有第一导电杂质。

12.如权利要求11所述的方法，其中将第一导电杂质离子注入到所述栅极中，并同时进行形成所述第一导电光电二极管区域。

13.如权利要求8所述的方法，其中形成所述耗尽层以使所述耗尽层没有延伸过整个栅极。

14.一种提高CMOS图像传感器的绿/蓝比的方法，包括：

在导电半导体衬底的有源区域上形成栅极；

在所述有源区域上形成光电二极管；

在所述栅极中形成耗尽层；以及

将所述光电二极管和所述栅极电连接。

15.如权利要求14所述的方法，其中形成所述耗尽层的步骤进一步包括：

将第一导电杂质离子注入到所述栅极中；以及

将第二导电杂质离子注入到所述栅极中。

16.如权利要求15所述的方法，其中形成光电二极管的步骤进一步包括：

通过将第二导电杂质离子注入到所述有源区域中，形成第二导电光电二极管区域；以及

在所述第二导电光电二极管区域中形成第一光电二极管导电区域，其中该第一光电二极管导电区域具有第一导电杂质。