[发明专利]溅射沉积装置和方法

权利要求书

1.一种溅射沉积装置，包括：

至少一个溅射靶；

第一等离子体；

衬底支持物；和

另一等离子体。

2.根据权利要求1的溅射沉积装置，其中另一等离子体是ECWR等离子体。

3.根据权利要求2的溅射沉积装置，其中ECWR等离子体比第一等离子体更靠近衬底支持物。

4.根据权利要求2的溅射沉积装置，其中ECWR等离子体和衬底支持物之间的距离小于15cm。

5.根据权利要求2的溅射沉积装置，其中ECWR等离子体和衬底支持物之间的距离小于10cm。

6.根据权利要求3的溅射沉积装置，进一步包括辅助等离子体。

7.根据权利要求6的溅射沉积装置，其中该辅助等离子体比ECWR等离子体更靠近衬底支持物。

8.根据权利要求3的溅射沉积装置，进一步包括在该ECWR等离子体和该衬底支持物之间提供的阳极。

9.根据权利要求6的溅射沉积装置，其中该辅助等离子体在该溅射沉积装置的外围区域比在该溅射沉积装置的内部区域具有更高的密度。

10.根据权利要求1的溅射沉积装置，所述衬底支持物包括厚度变化的介电层。

11.根据权利要求10的溅射沉积装置，其中所述介电层的最大厚度比介电层的最小厚度大15％以上。

12.根据权利要求11的溅射沉积装置，其中包括最大厚度的所述介电层的区域基本上位于所述介电层的中心。

13.根据权利要求12的溅射沉积装置，其中包括最小厚度的所述介电层的区域位于所述介电层的外围。

14.根据权利要求10的溅射沉积装置，还包括与所述衬底支持物耦合的发射器。

15.根据权利要求14的溅射沉积装置，由于所述介电层的变化的厚度，所述发射器和匹配网络在衬底支持物导致的偏置电压，在所述衬底支持物的外围区域比在所述衬底支持物的内部区域要高。

16.根据权利要求15的溅射沉积装置，其中在外围区域的最大偏置电压比在内部区域的最小偏置电压高15％以上。

17.一种溅射沉积装置，包括：

等离子体；

衬底支持物；

靠近衬底支持物的阳极。

18.根据权利要求17的溅射沉积装置，其中所述阳极和所述衬底支持物之间的距离小于8cm。

19.根据权利要求17的溅射沉积装置，其中所述阳极和所述衬底支持物之间的距离小于5cm。

20.根据权利要求17的溅射沉积装置，所述衬底支持物包括具有变化厚度的介电层。

21.根据权利要求17的溅射沉积装置，包括位于所述等离子体和所述衬底支持物之间的附加等离子体。

22.一种溅射沉积装置，包括：

等离子体；和

衬底支持物，其包括具有变化厚度的介电层。

23.一种溅射沉积装置，包括：

用于产生第一等离子体的装置；和

用于产生位于所述第一等离子体和衬底支持物之间的第二等离子体的装置。

24.一种用于溅射沉积装置的衬底支持物，包括具有变化厚度的介电层。

25.一种溅射沉积方法，包括以下步骤：

产生第一等离子体；和

在所述第一等离子体和衬底之间产生第二等离子体。

26.根据权利要求25的方法，其中所述第二等离子体是ECWR等离子体。

27.根据权利要求25的方法，还包括以下步骤：

施加电压于提供在所述第二等离子体和所述衬底之间的阳极。

28.根据权利要求25的方法，还包括以下步骤：沉积用于电阻切换存储器件的材料。

29.根据权利要求28的方法，其中所述存储器件是相变随机存取存储器。

30.根据权利要求28的方法，其中所述存储器件是导电桥接随机存取存储器。