[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710145849.8 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101136358A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 全东基 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种装置，包括：
半导体衬底；
在所述半导体衬底上方形成的导电层；
在所述导电层上方形成的至少一抗反射涂层；以及
在所述导电层和所述至少一抗反射涂层之间形成的抗扩散层，其中所述抗
扩散层配置为防止在所述导电层和所述至少一抗反射涂层之间的扩散。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述抗扩散层包括氮化铝层。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述抗扩散层具有在约10埃到约20埃之间的厚度。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述抗反射涂层包括钛和氮化钛的叠层。
5.一种方法，包括：
在半导体衬底上方形成导电层；
在所述导电层上方形成抗扩散层；以及
在所述抗扩散层上方形成至少一抗反射涂层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述抗扩散层通过氮化所述导电层形成。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述导电层包括铝。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述抗扩散层包括氮化铝。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述至少一抗反射涂层包括钛和氮化钛。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述至少一抗反射涂层通过溅射方法形成。
11.一种装置，包括：
半导体衬底；
在所述半导体衬底上方形成的导电层；
在所述导电层上方形成的抗扩散层；所述抗扩散层具有在约10埃和约20埃之间的厚度；
在所述抗扩散层上方形成的第一抗反射涂层，以及
在所述第一抗反射涂层上方形成的第二抗反射涂层，其中所述第二抗反射涂层由与所述第一抗反射涂层不同的材料组成。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一抗反射涂层包括钛。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述第二抗反射涂层包括氮化钛。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
