[发明专利]光刻胶剥离剂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于剥离照相平版印刷(photo-lithography)工艺中所使用的光刻胶的组合物，尤其涉及一种在剥离用于形成金属布图的光刻胶时，能够最大限度地降低金属膜的腐蚀，并且不仅具有优异的剥离效果，而且在利用臭氧进行再利用工序时，抑制溶剂本身由于臭氧的作用而分解，而且使溶剂中的光刻胶残留物优选被溶剂而非臭氧而分解的光刻胶剥离剂组合物。本发明还涉及一种利用该组合物剥离及分解在照相平版印刷工艺中的光刻胶的方法。

背景技术

光刻胶(photo-resist)是在照相平版印刷工艺中必不可少的物质，而照相平版印刷工艺一般应用在集成电路(integrated circuit，IC)、大规模集成电路(large scale integration，LSI)、超大规模集成电路(very large scaleintegration，VLSI)等半导体装置和液晶显示器、平板显示器等图像显示装置的制造上。

下面简单说明照相平版印刷工艺。

首先，在半导体基板或玻璃基板等预定基板上形成抗蚀剂膜。所述基板可以是在形成抗蚀剂膜之前未经任何工序的基板，但通常是在形成抗蚀利膜之前经过若干工序的前处理工艺，并形成有金属布线等下层结构的基板。因此，上述光刻胶膜通常形成在已于内部或上部具有预定的下层结构的基板上。上述抗蚀剂膜可形成在基板上面的整个区域或者某些部分区域，但通常涂敷在基板的整个表面。然后，通过后续的构图工序，剥离预定区域的抗蚀剂膜，以暴露基板上部，但留下其它区域的抗蚀剂膜，从而通过残留的抗蚀剂膜保护基板上部。在整个基板表面涂敷抗蚀剂膜的方法有几种，但通常使用旋涂法。

接着，将形成有预定图案的曝光掩膜紧贴在形成于所述基板整个表面的光刻胶上部，或者以预定距离隔开设置在光刻胶上部。之后，对所述掩膜全面照射如紫外线、电子束、X射线等高能量光化射线，以进行曝光工序。所述掩膜图案可分为两个区域，即所述高能量光化射线的透光区和遮光区。因此，透过所述掩膜图案透光区的所述高能量光化射线，可到达其下部的抗蚀剂膜。到达所述抗蚀剂膜的高能量光化射线，将改变抗蚀剂膜的物理性质。结束所述高能量光化射线的照射后，所述抗蚀剂膜将被分成未改变物理性质的区域和改变物理性质的区域。通过如上抗蚀剂膜的物性改变与否来被区划形成的图案，由于其被掩膜暂时形成，因此通常被称为掩膜图案的“潜像(latent)”。

之后，对所述抗蚀剂膜上的潜像进行显像工艺，以形成由掩膜图案转印的光刻胶图案。接着，将光刻胶图案用作蚀刻掩膜，对基板进行蚀刻，从而在基板内部最终形成预定图案。之后，剥离残留在具有预定图案的基板上的光刻胶图案，就可完成照相平版印刷工艺。

其中，关于以往的光刻胶剥离剂组合物，韩国专利第2003-0033988号公开一种基板有机涂层的制造方法，其使用含有碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯或其混合物的处理液。另外，美国专利第6,403,544号公开一种碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯等的再生方法。

上述方法所使用的是碳酸盐化合物，但使用碳酸乙烯酯时，其熔点高于常温，因此难以作为剥离溶剂来使用，而使用碳酸丙烯酯时，与其他剥离溶剂相比其剥离性能差。另外，所述方法是通过分别蒸馏内酯来与杂质分离的方法，这与实时分解的方法相差甚远，而且在使用后还要回收含有一定光刻胶的溶剂，且需要实施另行的分馏工艺，因此增加工艺支出。

另外，以往的碳酸盐化合物会被臭氧分解而生成过氧化物或者羧酸类化合物，这种由于臭氧而生成的副产物会导致金属布线的腐蚀，并降低碳酸盐本身的纯度，从而降低作为剥离剂的性能。

发明内容

本发明鉴于上述问题而作，其目的在于提供一种光刻胶剥离剂组合物。其能够诱导臭氧的可选性分解反应，从而能够对利用光刻胶所进行的工艺中经硬化或改性的光刻胶具有优异的剥离性能，并具有较小药液疲劳度，而且具有优异的分解能力。

本发明的另一目的在于提供一种利用所述光刻胶剥离剂组合物，在照相平版印刷工艺中剥离及分解光刻胶的方法。

本发明的再一个目的在于提供一种将所述光刻胶剥离剂组合物及在照相平版印刷工艺中剥离及分解光刻胶的方法应用在显示器元件制造工艺中的方法。

为实现上述目的，本发明提供一种包含氨基甲酸酯化合物的光刻胶剥离剂组合物。

本发明还提供一种光刻胶剥离剂组合物，其包含a)环状内酯类化合物，及b)酰胺类化合物、氨基甲酸酯化合物或其混合物。