[发明专利]疏水性表面的掩模无效

专利信息
申请号: 200710143734.5 申请日: 2007-08-02
公开(公告)号: CN101266403A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 郑智文 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14;G03F1/08;G03F1/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 潘培坤
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 疏水 表面
【权利要求书】:

1. 一种疏水性表面的掩模,包括:

一基板;

多个图案,形成于该基板上;以及

一自组装单层,形成于未覆盖所述图案的该基板上。

2. 如权利要求1所述的疏水性表面的掩模,其中该基板由石英构成。

3. 如权利要求1所述的疏水性表面的掩模,其中所述图案由铬构成。

4. 如权利要求1所述的疏水性表面的掩模,其中该自组装单层为烷基三氯硅烷层。

5. 如权利要求4所述的疏水性表面的掩模,其中该自组装单层包括十八烷基三氯硅烷。

6. 如权利要求4所述的疏水性表面的掩模,其中该自组装单层包括全氟十烷基三氯硅烷。

7. 如权利要求1所述的疏水性表面的掩模,其中该自组装单层通过汽化工艺形成。

8. 如权利要求1所述的疏水性表面的掩模,其中该自组装单层通过溶液工艺形成。

9. 一种疏水性表面的掩模,包括:

一基板;

一自组装单层,形成于该基板上;以及

一保护膜,设置于该基板上。

10. 如权利要求9所述的疏水性表面的掩模,其中该基板由石英构成。

11. 如权利要求9所述的疏水性表面的掩模,其中该自组装单层为烷基三氯硅烷层。

12. 如权利要求11所述的疏水性表面的掩模,其中该自组装单层包括十八烷基三氯硅烷。

13. 如权利要求11所述的疏水性表面的掩模,其中该自组装单层包括全氟十烷基三氯硅烷。

14. 如权利要求9所述的疏水性表面的掩模,其中该保护膜由硝化纤维素构成。

15. 如权利要求9所述的疏水性表面的掩模,其中该保护膜通过一保护架设置于该基板上。

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