[发明专利]磁致电阻效应元件,磁头,磁记录/音响装置和磁存储器

权利要求书

1.一种磁致电阻效应元件，该元件包括：

第一磁化层，其磁化基本固定在一个方向上；

第二磁化层，其磁化依外部磁场而旋转；

中间层，其包含绝缘部分和磁性金属部分，并被配置于所述第一磁化层和第二磁化层之间；和

一对电极，其使电流沿着垂直于由所述第一磁化层、所述中间层和所述第二磁化层构成的多层薄膜的薄膜表面的方向流过，

其中所述中间层的所述磁性金属部分包含非铁磁金属。

2.如权利要求1所述的磁致电阻效应元件，其特征在于，

所述非铁磁金属是从由Cu，Cr，V，Ta，Nb，Sc，Ti，Mn，Zn，Ga，Ge，Zr，Y，Tc，Re，B，In，C，Si，Sn，Ca，Sr，Ba，Au，Ag，Pd，Pt，Ir，Rh，Ru，Os和Hf组成的组中选出的至少一种。

3.如权利要求2所述的磁致电阻效应元件，其特征在于，

所述非铁磁金属至少包含Cu。

4.如权利要求1所述的磁致电阻效应元件，其特征在于，

所述中间层的所述绝缘部分包含一种含有氧、氮和碳中至少一种的化合物。

5.如权利要求1所述的磁致电阻效应元件，其特征在于，

所述中间层的所述磁性金属部分包含Fe、Co和Ni中至少一种。

6.如权利要求1所述的磁致电阻效应元件，其特征在于，

所述第一磁性层和所述第二磁性层包含Fe、Co和Ni中至少一种。

7.如权利要求1所述的磁致电阻效应元件，其特征在于，

所述中间层抑制了所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的层间耦合。

8.如权利要求1所述的磁致电阻效应元件，其特征在于，

在所述中间层中，使在所述磁性金属部分中所形成的磁畴壁变窄以提高所述磁致电阻效应元件的MR效应。

9.一种包括如权利要求1所述的磁致电阻效应元件的磁头。

10.一种包括如权利要求1所述的磁记录介质和磁头的磁记录/音响装置。

11.一种包括如权利要求1所述的磁致电阻效应元件的磁存储器。

12.一种制造磁致电阻效应元件的方法，该方法包括：

形成其磁化是基本固定在一个方向上的第一磁化层；

在所述第一磁化层上形成作为磁性金属部分的第一金属层；

在所述第一金属层上形成第二金属层；

施加足以激发原子的能量到所述第二金属层上，然后氧化所述第二金属层以使所述第二金属层转化成绝缘部分，由此形成包含所述绝缘部分和所述磁性金属部分的中间层；

形成其磁化是依外部磁场旋转的第二磁化层；以及

形成一对电极，使电流沿着垂直于由所述第一磁化层、所述中间层和所述第二磁化层构成的多层薄膜的薄膜表面的方向流动。

13.一种制造磁致电阻效应元件的方法，该方法包括：

形成其磁化是基本固定在一个方向上的第一磁化层；

在所述第一磁化层上形成作为磁性金属部分的第一金属层；

在所述第一金属层上形成第二金属层；

氧化所述第二金属层以使所述第二金属层转化成绝缘部分，然后施加足以激发原子的能量到所述绝缘层上，由此形成包含所述绝缘部分和所述磁性金属部分的中间层；

形成其磁化是依外部磁场旋转的第二磁化层；以及

形成一对电极，使电流沿着垂直于由所述第一磁化层、所述中间层和所述第二磁化层构成的多层薄膜的薄膜表面的方向流动。