[发明专利]单个共形结纳米线光伏器件

权利要求书

1.包含下列元件的光伏器件：

a)许多发射自多孔纳米模板的细长纳米结构，该细长纳米结构由具有第一类掺杂的半导体材料构成；

b)共形地沉积在许多细长纳米结构周围的半导体材料的共形层，该半导体材料的共形层具有第二类掺杂并与许多细长纳米结构一起形成电荷分离结；和

c)可供连接器件与外部电路操作的上、下接触，其中下接触与许多细长纳米结构电接触，而上接触与共形层电接触。

2.权利要求1的光伏器件，还包含沉积在共形层上的导电透明材料。

3.权利要求1的光伏器件，其中细长纳米结构选自下列一组：纳米线、纳米棒、纳米管和它们的组合。

4.包含下列元件的光伏器件：

a)许多发射自多孔纳米模板的细长纳米结构，该细长纳米结构由具有第一类掺杂的半导体材料构成；

b)共形地沉积在许多细长纳米结构周围的本征半导体材料的第一共形层；

c)共形地沉积在第一共形层周围的半导体材料的第二共形层，该第二共形层具有第二类掺杂，从而形成电荷分离结；和

d)可供连接器件与外部电路操作的上、下接触，其中下接触与许多纳米线电接触，而上接触与第二共形层电接触。

5.权利要求4的光伏器件，还包含沉积在第二共形层上的导电透明材料。

6.权利要求4的光伏器件，其中细长纳米结构以基本垂直的取向发射自多孔纳米模板。

7.包含下列元件的光伏器件：

a)许多发射自多孔纳米模板的细长纳米结构，该细长纳米结构由具有第一带隙的半导体材料构成；

b)共形地沉积在许多细长纳米结构周围的半导体材料的第一共形层；该半导体材料的共形层具有第二带隙，并与许多细长纳米结构一起，形成电荷分离异质结；和

c)可供连接器件与外部电路操作的上、下接触，其中下接触与许多细长纳米结构电接触，而上接触与共形层电接触。

8.权利要求7的光伏器件，还包含沉积在共形层上的导电透明材料。

9.权利要求7的光伏器件，其中多孔纳米模板驻留在基底上。

10.制造光伏器件的方法，该方法包括下列步骤：

a)生长发射自多孔纳米模板的细长纳米结构，该细长纳米结构包含半导体材料且具有第一带隙；

b)在许多细长纳米结构周围共形地沉积半导体材料的共形层，该半导体材料的共形层具有第二带隙，从而与下面的细长纳米结构一起形成电荷分离异质结；和

c)形成可供连接器件与外电路操作的上、下接触，其中下接触与许多细长纳米结构电接触，而上接触与共形层电接触。