[发明专利]半导体薄膜制造方法及装置、光束成形掩模及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种半导体薄膜制造装置，通过辐射激光束到由形成在绝缘衬底上的半导体薄膜构成的前体膜上，用于在前体膜上生长晶粒，该装置包括：

用于成形激光束的光束成形掩模，其中

掩模的主体在用于透射激光束的一部分透射区中具有屏蔽激光束的屏蔽图案。

2.一种具有有源层的薄膜晶体管，有源层中使载流子流动，该薄膜晶体管包括：

在夹在平行的晶粒边界之间的区域中形成的条状晶体区，其中

在条状晶体区中形成至少任一第一有源层或第二有源层，在第一有源层中设定载流子的移动方向沿晶粒边界的长度方向，在第二有源层中设定载流子的移动方向沿与晶粒边界相交的方向。

3.根据权利要求2的薄膜晶体管，其中在平行的晶粒边界之间夹着的条状晶体区中形成第一有源层，并且沿晶粒边界的长度方向通过夹着有源层形成漏区和源区。

4.根据权利要求2的薄膜晶体管，其中在平行的晶粒边界之间夹着的条状晶体区中形成第二有源层，并且沿与晶粒边界的长度方向相交的方向通过夹着有源层形成漏区和源区。

5.根据权利要求2的薄膜晶体管，其中

在平行的晶粒边界之间夹着的条状晶体区中分别形成第一有源层和第二有源层；

沿晶粒边界的长度方向通过夹着有源层形成第一有源层的漏区和源区；以及

沿与晶粒边界的长度方向相交的方向通过夹着有源层形成第二有源层的漏区和源区。

6.根据权利要求3的薄膜晶体管，其中通过含有晶粒边界和条状晶体区形成第一有源层的漏区和源区。

7.根据权利要求5的薄膜晶体管，其中通过含有晶粒边界和条状晶体区形成第一有源层的漏区和源区。

8.根据权利要求3的薄膜晶体管，其中仅在条状晶体区内形成第一有源层的漏区和源区。

9.根据权利要求5的薄膜晶体管，其中仅在条状晶体区内形成第一有源层的漏区和源区。

10.根据权利要求4的薄膜晶体管，其中通过含有晶粒边界和条状晶体区形成第二有源层的漏区和源区。

11.根据权利要求5的薄膜晶体管，其中通过含有晶粒边界和条状晶体区形成第二有源层的漏区和源区。

12.根据权利要求2的薄膜晶体管，其中仅在晶粒边界中散布隆起部。

13.一种薄膜晶体管，包括：

由粒状晶粒构成的半导体薄膜；以及

沿半导体薄膜的单方向形成的条状晶粒，其由具有比粒状晶粒的直径大的晶粒直径的晶粒构成，其中

分别在半导体薄膜和条状晶粒中形成有源层。