[发明专利]纳米结构图案的制造方法

权利要求书

1.一种在基片上形成纳米结构图案的方法，所述方法包括：

提供基片；

用功能材料涂覆所述基片，以形成功能材料层；

用至少有A聚合物链和B聚合物链的嵌段共聚物涂覆所述功能材料层；

干燥所述嵌段共聚物，以形成有序的纳米域；

除去已干燥的嵌段共聚物的A聚合物链，以形成空隙；以及

从A聚合物链已被除去之处除去所述功能材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片是微图案化的。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干燥是在施加剪切力外能的条件下进行的。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干燥是在施加电场的条件下进行的。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述微图案化的基片含有凹槽，所述凹槽具有基本上平坦的底部和小于10微米的栅距。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述功能材料包括导电材料。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述导电材料选自铝、银、金、镍、铜、氧化铟锡、氧化锑锡、聚噻吩、聚苯胺和聚乙炔。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述A聚合物链包括聚甲基丙烯酸甲酯或聚丁二烯，所述B聚合物包括聚苯乙烯。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，除去所述已干燥的嵌段共聚物的B聚合物链，而不除去所述功能材料。

10.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度为50-600纳米。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述A聚合物链包括丙烯酸类聚合物。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述B聚合物链包括苯乙烯。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述A聚合物链包括至少一种选自下组的聚合物：乙烯基聚合物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚丙烯酸类、聚(丙烯酰胺)、聚丙烯腈、聚(丙烯酸)、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚醚和多元醇。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述B聚合物链包括至少一种选自下组的聚合物：聚(苯乙烯)、聚亚二甲苯基、乙烯基聚合物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚丙烯酸类、聚(丙烯酰胺)、聚丙烯腈、聚(丙烯酸)、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚醚、多元醇、聚乙酸乙烯酯和缩醛。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，除去A聚合物链的步骤包括紫外辐射降解。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，除去A聚合物链的步骤包括溶剂去除。

17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片选自玻璃、热塑性树脂、纤维素醚、纤维素酯、聚烯烃、聚丙烯酸类、乙烯-乙烯醇共聚物、丙烯腈共聚物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、甲基丙烯酸化的丁二烯-苯乙烯共聚物、聚碳酸酯、聚醚、聚酮、聚亚苯基、聚硫化物、聚砜、聚内酯、聚氨酯、线性长链二醇、聚醚醚酮、聚酰胺、聚酯、聚(亚芳基氧)、聚(亚芳基硫)、聚醚酰亚胺、离聚物、聚(表氯醇)、呋喃树脂如聚(呋喃)、聚硅氧烷、聚四氟乙烯和聚缩醛。

18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述A聚合物链的长度为10-100纳米。

19.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述B聚合物链的长度为10-100纳米。

20.如权利要求1所述的方法，其特征在于，它还包括除去已干燥的嵌段共聚物的B聚合物链。