[发明专利]光波导、半导体光学集成元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光波导，其特征在于，包括：

半导体激光器部，具有在衬底上依次层积的下部包覆层、第1芯层及上部包覆层，并形成所述上部包覆层延续到其两外侧的台面条带，在所述第1芯层产生激光；

中间部，在所述衬底上邻接所述半导体激光器部而设，具有在所述衬底上依次层积的所述下部包覆层、第2芯层及所述上部包覆层，所述第2芯层与所述第1芯层相接，并形成所述下部包覆层、所述第2芯层及所述上部包覆层延续到其两外侧的台面条带；以及

光调制器部，在所述衬底上邻接所述中间部而设，具有在所述衬底上依次层积的所述下部包覆层、所述第2芯层及所述上部包覆层，所述第2芯层吸收所述第1芯层产生的所述激光，并形成所述下部包覆层延续到其两外侧的台面条带，

所述半导体激光器部的延续到所述台面条带的两外侧的面离所述衬底的上表面的高度，大于所述光调制器部的延续到所述台面条带的两外侧的面离所述衬底上表面的高度；

所述中间部的延续到所述台面条带的两外侧的面离所述衬底上表面的高度，从所述半导体激光器部侧向所述光调制器部侧降低。

2.一种光波导，其特征在于，包括：

半导体激光器部，具有在衬底上依次层积的下部包覆层、第1芯层及上部包覆层，并形成所述上部包覆层延续到其两外侧的台面条带，在所述第1芯层产生激光；

中间部，在所述衬底上邻接所述半导体激光器部而设，具有在所述衬底上依次层积的所述下部包覆层、第2芯层及所述上部包覆层，所述第2芯层与所述第1芯层相接，并形成所述下部包覆层、所述第2芯层及所述上部包覆层延续到其两外侧的台面条带；以及

光调制器部，在所述衬底上邻接所述中间部而设，具有在所述衬底上依次层积的所述下部包覆层、所述第2芯层及所述上部包覆层，所述第2芯层吸收所述第1芯层产生的激光，并形成所述下部包覆层延续到其两外侧的台面条带，

所述半导体激光器部、所述中间部及所述光调制器部的延续到所述台面条带的两外侧的面，离所述衬底上表面的高度是一定值；

在所述中间部，从所述衬底的上表面到所述第2芯层的高度，从所述半导体激光器部侧向所述光调制器部侧增加。

3.如权利要求2所述的光波导，其特征在于，所述光调制器部的从所述衬底的上表面到所述第2芯层的下端的高度，大于所述半导体激光器部的从所述衬底的上表面到所述第1芯层的上端的高度。

4.如权利要求1～3中任一项所述的光波导，其特征在于，所述半导体激光器部的所述第1芯层的上部设有衍射光栅。

5.一种半导体光学集成元件，其特征在于，包括：

半导体激光器部，具有在衬底上依次层积的下部包覆层、第1芯层及上部包覆层，并形成所述上部包覆层延续到其两外侧的台面条带，在所述第1芯层产生激光；

中间部，在所述衬底上邻接所述半导体激光器部而设，具有在所述衬底上依次层积的所述下部包覆层、第2芯层及所述上部包覆层，所述第2芯层与所述第1芯层相接，并形成所述下部包覆层、所述第2芯层及所述上部包覆层延续到其两外侧的台面条带；以及

光调制器部，在所述衬底上邻接所述中间部而设，具有在所述衬底上依次层积的所述下部包覆层、所述第2芯层及所述上部包覆层，所述第2芯层吸收所述第1芯层产生的激光，并形成所述下部包覆层延续到其两外侧的台面条带，

所述半导体激光器部的延续到所述台面条带的两外侧的面离所述衬底上表面的高度，大于所述光调制器部的延续到所述台面条带的两外侧的面离所述衬底上表面的高度。