[发明专利]用于产生混沌信号的装置和方法有效

专利信息
申请号: 200710142022.1 申请日: 2007-08-13
公开(公告)号: CN101127746A 公开(公告)日: 2008-02-20
发明(设计)人: 金维新;明鲁喆;文正镐;郑武一;李唱锡;杨昌洙;李光斗;朴相奎 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H04L27/00 分类号: H04L27/00;H03B5/12
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;尚志峰
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 产生 混沌 信号 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种用于产生混沌信号的装置,包括:

PN信号发生器,由数字逻辑电路构成,并产生具有预定频率的数字伪随机信号;

电压控制振荡器,用于产生具有预定频率的时钟信号;

混频器,用于将所述伪随机信号和所述时钟信号进行混频,以产生混沌信号来输出;以及

带通滤波器,用于将从所述混频器输出的所述混沌信号滤波成所需频带的混沌信号,然后输出经过滤波的信号。

2.根据权利要求1所述的装置,

其中,所述PN信号发生器由数字逻辑电路形成,所述数字逻辑电路包括N个D触发器和门单元,并且产生预定位数(2N-1)的伪随机信号,其中N是正数。

3.根据权利要求2所述的装置,

其中,每个所述D触发器均包括偶数个反相器和开关,并且根据所施加的正弦波信号,输出未反相的输入信号。

4.根据权利要求2所述的装置,

其中,所述门单元接收第(N-1)个D触发器的输出和第N个D触发器的输出,以产生用于第一个D触发器的输入的信号。

5.根据权利要求3所述的装置,

其中,所述开关由连接至所述反相器的第一MOSFET和第二MOSFET形成,所述第一MOSFET和所述第二MOSFET的栅极分别接收时钟信号和所述时钟信号的反相信号,所述第一MOSFET的体端连接至电源,以及所述第二MOSFET的体端接地。

6.根据权利要求5所述的装置,

其中,所述第一MOSFET是p型MOSFET,以及所述第二MOSFET是n型MOSFET。

7.根据权利要求4所述的装置,

其中,所述门单元由异或门构成。

8.一种用于产生混沌信号的方法,包括:

(a)产生具有预定频率的数字伪随机信号;

(b)产生具有预定频率的时钟信号;

(c)将在步骤(a)产生的所述数字伪随机信号和在步骤

(b)产生的所述时钟信号进行混频,以产生混沌信号来输出;

以及

(d)将从步骤(c)输出的所述混沌信号滤波成所需频带的混沌信号,然后输出经过滤波的信号。

9.根据权利要求8所述的方法,

其中,在步骤(a),N个D触发器和门单元用于产生预定位数(2N-1)的伪随机信号,其中,N是正数。

10.根据权利要求9所述的方法,

其中,每个所述D触发器均包括偶数个反相器和开关,并且根据所施加的正弦波信号,输出未反相的输入信号。

11.根据权利要求9所述的方法,

其中,所述门单元接收第(N-1)个D触发器的输出和第N个D触发器的输出,以产生用于第一个D触发器的输入的信号。

12.根据权利要求10所述的方法,

其中,所述开关由连接至所述反相器的第一MOSFET和第二MOSFET形成,所述第一MOSFET和所述第二MOSFET的栅极分别接收时钟信号和所述时钟信号的反相信号,所述第一MOSFET的体端连接至电源,以及所述第二MOSFET的体端接地。

13.根据权利要求12所述的方法,

其中,所述第一MOSFET是p型MOSFET,以及所述第二MOSFET是n型MOSFET。

14.根据权利要求11所述的方法,

其中,所述门单元由异或门构成。

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