[发明专利]模拟电平转换器有效
| 申请号： | 200710141833.X | 申请日： | 2007-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101291147A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 黄志坚;李韦良 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模拟 电平 转换器 | ||
1.一种模拟电平转换器，用以接收输入电压以产生输出电压，所述的模拟电平转换器包括：
N型金属氧化物半导体场效晶体管，其基极耦接至所述的输入电压输入的输入节点；
电阻装置，所述的电阻装置的第一端耦接至所述的N型金属氧化物半导体场效晶体管的源极，所述的电阻装置的第二端耦接至所述的输出电压输出的输出节点；以及
电流源，耦接至所述的输出节点，减少来自所述的输出节点的电流。
2.根据权利要求1所述的模拟电平转换器，其特征在于，所述的N型金属氧化物半导体场效晶体管是本征组件或低临界电压组件。
3.根据权利要求1所述的模拟电平转换器，其特征在于，所述的电阻装置是线性电阻器或可变电阻器。
4.根据权利要求1所述的模拟电平转换器，其特征在于，所述的电阻装置是P型多晶硅、N型多晶硅或扩散型。
5.根据权利要求4所述的模拟电平转换器，其特征在于，所述的电流源的产生使用与所述的电阻装置类型相同的电阻器。
6.一种模拟电平转换器，用以接收输入电压以产生输出电压，包括：
P型金属氧化物半导体场效晶体管，其基极耦接至所述的输入电压输入的输入节点；
电阻装置，所述的电阻装置的第一端耦接至所述的P型金属氧化物半导体场效晶体管的源极，所述的电阻的第二端耦接至所述的输出电压输出的输出节点；以及
电流源，耦接至所述的输出节点，为所述的电阻装置提供电流。
7.根据权利要求6所述的模拟电平转换器，其特征在于，所述的P型金属氧化物半导体场效晶体管是低临界电压组件。
8.根据权利要求6所述的模拟电平转换器，其特征在于，所述的电阻装置是线性电阻器或可变电阻器。
9.根据权利要求6所述的模拟电平转换器，其特征在于，所述的电阻装置是P型多晶硅、N型多晶硅或扩散型。
10.根据权利要求9所述的模拟电平转换器，其特征在于，所述的电流源的产生使用与所述的电阻装置类型相同的电阻器。
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