[发明专利]空穴传输聚合物

权利要求书

1.一种由至少一种式I单体形成的聚合物：

式I

其中：

R和Y各自选自氢、氘、烷基、氟烷基、芳基、氟芳基、烷氧基、芳氧基、NR”₂、R’、

R’是可交联基团；

R”各自选自氢、烷基、氟烷基、芳基、氟芳基和R’；

X在各种情况下可相同或不同，为离去基团；

Z是碳、硅或氮；

Q是(ZR”_n)_b；

a是0-5的整数；

b是0-20的整数；

c是0-4的整数；

q是0-7的整数，

n是1-2的整数。

2.如权利要求1所述的聚合物，其特征在于它包括至少一种选自式II-式

VIII的共聚单体：

式II

式III

式IV

式V

式VI

式VII

式VIII

其中：

R和Y各自选自氢、氘、烷基、氟烷基、芳基、氟芳基、烷氧基、芳氧基、NR”₂、R’、

R’是可交联基团；

R”各自选自氢、烷基、氟烷基、芳基、氟芳基和R’；

Q是(ZR”_n)_b；

X在各种情况下可相同或不同，为离去基团；

Z是碳、硅或氮；

E是(ZR”_n)_b、O、S、Se或Te；

a是0-5的整数；

b是0-20的整数；

c是0-4的整数；

q是0-7的整数，

n是1-2的整数；

条件是该共聚物是由Yamamoto聚合制得的。

3.如权利要求1所述的聚合物，其特征在于它包括具有选自式X至XI结构的共聚物：

式X

式XI。

4.如权利要求1所述的聚合物，它包括式XII的共聚物：

式XII。

5.如权利要求1所述的聚合物，它是一种均聚物。

6.一种电子器件，它包括至少一种权利要求1或2所述的聚合物。

7.一种电子器件，它包括光活化层，所述光活化层包括至少一种权利要求1或2所述的聚合物。

8.如权利要求7所述的器件，它是通过液体沉积光活化层制得的。

9.如权利要求7所述的器件，它是通过气相沉积或热蒸发沉积光活化层制得的。

10.如权利要求6所述的器件，它还包括阳极、缓冲层、空穴输送层、光活化层、电子输送层、电子注入层和阴极。

11.如权利要求10所述的器件，其特征在于所述器件是通过液体沉积所述缓冲层、空穴输送层和光活化层制得的。

12.如权利要求10输送的器件，其特征在于所述器件是通过气相沉积电子输送层、电子注入层和阴极制得的。

13.如权利要求6所述的器件，它包括至少一种空穴输送材料，该空穴输送材料包括至少一种(i)带有二苯乙烯基基团的芴和三芳基胺的共聚物和(ii)具有式X的共聚物。

14.如权利要求6所述的器件，它是通过液体沉积部分有机层和气相沉积部分有机层制得的。