[发明专利]半导体基底的清洗方法

权利要求书

1.一种半导体基底的清洗方法，包含有：

提供半导体基底，该半导体基底包含有材料层与图案化光刻胶层，且该图案化光刻胶层位于该材料层上；

利用该图案化光刻胶层作为蚀刻掩模来蚀刻该材料层，以在该材料层中形成蚀刻孔洞；

剥除该图案化光刻胶层，然后利用清洗溶剂对该半导体基底进行溶剂清洗工艺；以及

利用去离子水对该半导体基底进行水洗工艺，且该去离子水的温度范围介于30℃至99℃之间，以去除该清洗溶剂。

2.如权利要求1所述的清洗方法，其中该水洗工艺的反应时间范围介于30秒至5分钟之间。

3.如权利要求1所述的清洗方法，其中该溶剂清洗工艺以及该水洗工艺为多重步骤。

4.如权利要求1所述的清洗方法，其中该清洗溶剂包含有羟胺类成分。

5.如权利要求1所述的清洗方法，其中该清洗溶剂的温度低于110℃。

6.如权利要求1所述的清洗方法，其中该材料层包含有介电材料层。

7.如权利要求1所述的清洗方法，其中该蚀刻孔洞包含有接触插塞孔洞或介层插塞孔洞。

8.如权利要求1所述的清洗方法，在该溶剂清洗工艺之后另包含有旋转干燥该半导体基底的步骤。

9.如权利要求1所述的清洗方法，在该水洗工艺之后另包含有对该半导体基底进行干燥工艺的步骤。

10.如权利要求9所述的清洗方法，其中该干燥工艺是利用氮气来干燥该半导体基底。

11.如权利要求1所述的清洗方法，在该溶剂清洗工艺之前另包含有清除该图案化光刻胶层的步骤。

12.如权利要求1所述的清洗方法，其中该溶剂清洗工艺与该水洗工艺是在同一机台之中进行。

13.如权利要求1所述的清洗方法，其中该溶剂清洗工艺与该水洗工艺是在不同机台之中进行。

14.如权利要求1所述的清洗方法，在该溶剂清洗工艺之前另包含有利用该去离子水对该半导体基底进行预水洗工艺的步骤。

15.如权利要求14所述的清洗方法，其中该溶剂清洗工艺与该预水洗工艺是在同一机台之中进行。

16.如权利要求14所述的清洗方法，其中该溶剂清洗工艺与该预水洗工艺是在不同机台之中进行。

17.一种半导体基底的清洗方法，包含有：

提供半导体基底，该半导体基底包含有材料层；

利用清洗溶剂对该半导体基底与该材料层进行溶剂清洗工艺，该清洗溶剂包含有羟胺类成分；以及

利用去离子水对该半导体基底进行水洗工艺，且该去离子水的温度范围介于30℃至99℃之间，以去除该清洗溶剂。

18.如权利要求17所述的清洗方法，其中该去离子水的反应时间范围介于30秒至5分钟之间。

19.如权利要求17所述的清洗方法，其中该溶剂清洗工艺以及该水洗工艺是多重步骤。

20.如权利要求17所述的清洗方法，在该溶剂清洗工艺之后另包含有旋转该半导体基底的步骤。

21.如权利要求17所述的清洗方法，在该水洗工艺之后另包含有对该半导体基底进行干燥工艺的步骤。