[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体衬底上形成光电二极管；

在所述半导体衬底上形成布线层；

通过第一蚀刻工艺在所述布线层上形成多个孔；

在所述布线层上堆叠第一氧化膜；以及

通过在所述第一氧化膜上实施第二蚀刻工艺形成多个微透镜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述布线层上堆叠第一氧化膜包括应用高密度等离子体化学气相淀积工艺。

3.根据权利要求1所述方法，其中，所述第二蚀刻工艺包括干法蚀刻工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述布线层包括透光材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一氧化膜包括未掺杂的氧化硅玻璃。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过所述第二蚀刻工艺移除所述第一氧化膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述光电二极管的区域之上的所述布线层中，所述多个孔彼此隔开并具有预定深度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述布线层包括金属布线元件。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个微透镜具有半圆形的横截面。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成CMOS图像传感器。

11.一种方法，包括：

在半导体衬底上形成光电二极管；

在所述半导体衬底上形成布线层；

在所述布线层上形成保护氧化膜；

用第一蚀刻工艺在所述布线层上形成多个孔；

在所述布线层和保护氧化膜上堆叠第一氧化膜；以及

通过实施第二蚀刻工艺形成多个微透镜。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述保护氧化膜仅形成在不直接位于所述光电二极管之上的区域中。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述保护氧化膜具有圆滑倾斜的侧面结构。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，通过所述第二蚀刻工艺移除所述第一氧化膜。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，在形成所述光电二极管的所述区域之上的所述布线层中，所述多个孔彼此隔开并具有预定深度。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多个微透镜具有半圆形横截面。

17.根据权利要求11所述的方法，其中，用以堆叠所述第一氧化膜的所述工艺包括高密度等离子体化学气相沉积工艺。

18.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺包括干法蚀刻工艺。

19.根据权利要求11所述的方法，其中，所述布线层包括光发射材料。

20.根据权利要求11所述的方法，其中，所述保护氧化膜包括SiN和SiON其中之一。