[发明专利]固态电解质存储元件及其制造方法

权利要求书

1.一种固态电解质存储元件的制造方法，包括：

在基底上形成绝缘层；

在上述绝缘层上形成导电层；

在上述导电层中形成至少两个部分重叠连通的开口，以使上述导电层形成至少一对尖端电极；以及

在上述开口中填入固态电解质。

2.如权利要求1所述的固态电解质存储元件的制造方法，其中上述开口的形状相同。

3.如权利要求1所述的固态电解质存储元件的制造方法，其中上述开口的形状是选自于圆形、椭圆形、多边形及其组合其中之一。

4.如权利要求1所述的固态电解质存储元件的制造方法，其中在上述导电层中形成四个两两部分重叠连通的开口，以使上述导电层形成具有四个尖端的共用电极以及四个自动对准上述共用电极的四个尖端的四个尖端电极，构成具有四个储存点的存储元件。

5.如权利要求1所述的固态电解质存储元件的制造方法，其中上述绝缘层的材料包括氧化硅、掺杂氟的玻璃、硼磷硅玻璃、磷硅玻璃、氮化硅或氮氧化硅。

6.如权利要求1所述的固态电解质存储元件的制造方法，其中上述固态电解质包括掺杂银、铜、铬或铌的GeSe、GeS、AgTeSe、AgTeS、或是AgSeS。

7.如权利要求1所述的固态电解质存储元件的制造方法，其中上述导电层的材料包括金属。

8.如权利要求1所述的固态电解质存储元件的制造方法，其中上述导电层的材料选自于银、金、白金、铜、钨、镍、氮化钛及其组合其中之一。

9.如权利要求1所述的固态电解质存储元件的制造方法，其中在上述导电层中形成至少两个部分重叠连通的开口的方法包括：

在上述导电层上形成具有至少两个部分重叠连通的开口图案的光刻胶层；

以上述光刻胶层为掩模，蚀刻上述导电层，以在上述导电层中形成至少两个部分重叠连通的开口；以及

移除上述光刻胶层。

10.如权利要求1所述的固态电解质存储元件的制造方法，其中上述至少一对尖端电极为一对自动对准的尖端电极。

11.一种固态电解质存储元件，包括：

位于基底上的绝缘层；

位于上述绝缘层上的导电层，上述导电层中具有至少两个部分重叠的开口，使上述导电层形成至少一对尖端电极；以及

位于上述导电层的上述开口中的固态电解质，

其中上述绝缘层、上述导电层以及上述固态电解质构成第一层存储单元。

12.如权利要求11所述的固态电解质存储元件，其中上述开口的形状相同。

13.如权利要求11所述的固态电解质存储元件，其中上述开口的形状是选自于圆形、椭圆形、多边形及其组合其中之一。

14.如权利要求11所述的固态电解质存储元件，其中在上述导电层中具有四个两两部分重叠的开口，以使上述导电层形成具有四个尖端的共用电极以及四个自动对准上述共用电极的四个尖端的四个尖端电极，构成具有四个储存点的存储元件。

15.如权利要求11所述的固态电解质存储元件，其中上述固态电解质包括掺杂银、铜、铬或铌的GeSe、GeS、AgTeSe、AgTeS、或是AgSeS。

16.如权利要求11所述的固态电解质存储元件，其中上述导电层的材料包括金属。

17.如权利要求11所述的固态电解质存储元件，其中上述导电层的材料选自于银、金、白金、铜、钨、镍、氮化钛及其组合其中之一。

18.如权利要求11所述的固态电解质存储元件，还包括至少一第二层存储单元位于上述第一层存储单元上。

19.如权利要求11所述的固态电解质存储元件，其中上述至少一对尖端电极为一对自动对准的尖端电极。