[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底，具有裸片侧以及外侧；

第一导电层，形成于所述衬底的所述裸片侧，其中所述第一导电层被图案化以形成多个走线；以及

多个导电凸块，其中每个导电凸块安装于所述多个走线的其中一个，并且与所述多个导电凸块之中每个其他导电凸块之间具有最小尺寸，所述最小尺寸足以使两条分隔开的所述走线通过。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个导电凸块包括焊接球。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电层包括铜。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底是双马来酰亚三嗪树脂叠层衬底。

5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括第二导电层，形成于所述衬底的外侧。

6.如权利要求5所述的半导体装置，还包括第一裸片，所述第一裸片包括一个或更多的集成电路，选择性地连接于至少所述多个导电凸块的至少第一部分。

7.如权利要求6所述的半导体装置，还包括第二裸片，所述第二裸片包括一个或更多的集成电路，选择性地连接于至少所述多个导电凸块的至少第二部分。

8.如权利要求6所述的半导体装置，还包括多个外部的凸块，连接于所述第二导电层，用以安装设于电子产品之中的所述半导体装置。

9.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供第一导电层，用以形成多个走线在衬底的第一侧；

利用额外的导电材料，增强所述多个走线的至少一部分；以及

安装多个导电凸块，每个导电凸块安装于所述多个走线其中一个；

其中每个导电凸块与所述多个导电凸块之中每个其他导电凸块之间具有最小尺寸，所述最小尺寸足以使两条分隔开的所述走线通过。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，还包括在所述多个导电凸块上安装裸片。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，还包括：

在所述衬底的第二侧提供第二导电层；以及

图案化所述第二导电层。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，还包括形成含有导电材料的介层孔，以提供所述第一导电层的元件以及所述第二导电层的元件之间的电连接。

13.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，还包括在所述衬底的所述第二侧安装多个导电凸块，每个导电凸块连接于所述第二导电层的元件。

14.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中提供所述第一导电层是以表面处理工艺完成。

15.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中形成所述多个走线包括：

形成光致抗蚀剂层、图案化所述光致抗蚀剂层以及选择性地蚀刻所述第一导电层。

16.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一导电层的蚀刻是以湿蚀刻完成。

17.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其中所述增强走线步骤是在蚀刻所述第一导电层之前完成。

18.如权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其中所述增强走线步骤是以电镀完成。

19.一种半导体装置，包括：

衬底，具有多个走线在至少一个上表面；

半导体裸片，以间隔开的关系设置于所述上表面的上方；以及

多个导电凸块，安装每个导电凸块用以连接所述裸片上的图样以及衬底的上表面上的走线；

其中任一走线的宽度与安装于所述走线的所述导电凸块的直径的比例介于大约0.7至大约1.0之间。