[发明专利]镀的端头及利用电解镀形成其的方法有效
| 申请号: | 200710140941.5 | 申请日: | 2007-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN101150009A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
| 发明(设计)人: | 安德鲁·P·里特;罗伯特·海斯坦第二;约翰·L·高尔瓦格尼;约翰·M·赫利克;雷蒙德·T·加拉斯科 | 申请(专利权)人: | 阿维科斯公司 |
| 主分类号: | H01G2/06 | 分类号: | H01G2/06;H01G4/30;H05K3/34;H05K3/40;H01C1/142;H01C7/18;H01C17/28 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波;陶凤波 |
| 地址: | 美国南卡*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 端头 利用 电解 形成 方法 | ||
1.一种多层电子元件,包括:
多个电介质层,每个电介质层通过边缘被横向限定;
多个内部电极,在所述多个电介质层之间选择性地交替插入,其中所述多个内部电极的选定部分延伸到所述多个电介质层的至少一个边缘且以各组沿该至少一个边缘暴露,所述内部电极和电介质层的交替插入的结合形成特征在于各最顶和最底表面的单片组件;以及
至少一个电化学沉积物部分,包括沿着所述多层元件的周围形成且连接每个各组内所述多个电极的暴露部分的薄膜镀材料。
2.如权利要求1所述的多层电子元件,其中每个各组内所述多个内部电极的相邻暴露部分之间的距离不大于约10微米。
3.如权利要求1所述的多层电子元件,还包括多个内部锚接片,选择性地交替插入在所述多个电介质层之间且延伸至所述各组中所述多个电介质层的至少一个边缘并沿该至少一个边缘暴露。
4.如权利要求3所述的多层电子元件,其中每个各组内所述多个内部电极和所述多个内部锚接片的相邻暴露部分之间的距离不大于约10微米。
5.如权利要求3所述的多层电子元件,其中暴露的内部电极和内部锚接片的相邻组之间的距离为任何给定组中暴露的内部电极和内部锚接片之间的距离的至少两倍大。
6.如权利要求1所述的多层电子元件,其中所述至少一个电化学沉积物部分包括镍或铜之一。
7.如权利要求1所述的多层电子元件,其中所述至少一个电化学沉积物部分包括钯、锡、金、银、或锡-铅合金或其它合金之一。
8.如权利要求1所述的多层电子元件,还包括形成在所述至少一个电化学沉积物部分之上的镀材料的附加部分。
9.如权利要求8所述的多层电子元件,其中所述至少一个电化学沉积物部分包括镍且所述镀材料的附加部分包括锡。
10.如权利要求8所述的多层电子元件,其中所述至少一个电化学沉积物部分包括铜且所述镀材料的附加部分包括镍的第一部分和锡的第二部分。
11.如权利要求1所述的多层电子元件,其中所述多个内部电极包括镍、铂、银或银-钯合金之一。
12.如权利要求1所述的多层电子元件,其中所述多个内部电极和所述多个内部锚接片的暴露部分沿着所述多层电子元件的周围以一个或更多列对齐。
13.如权利要求12所述的多层电子元件,其中给定列中每个暴露的内部电极部分和暴露的内部锚接片部分以距离所述给定列中所述暴露的内部电极部分和暴露的内部锚接片部分的至少另外一个小于约8微米的距离沿着所述多层电子元件的周围被暴露。
14.如权利要求13所述的多层电子元件,其中选定的各成列的组中选定的相邻内部电极和内部锚接片之间的距离朝所述单片组件的最顶和最底表面比在所述组件的内部层处更靠近。
15.如权利要求13所述的多层电子元件,还包括选择性地提供在所述单片组件的所述最顶和最底表面的一个或更多上的多个外部锚接片。
16.如权利要求15所述的多层电子元件,其中所述多个内部电极的暴露部分、所述多个内部锚接片的暴露部分和所述多个外部锚接片在所述多层电子元件的选定周围部分处以一个或更多列对齐,且其中各所述电化学沉积物部分沿着所述一个或更多列的每个形成且形成到所述单片组件的提供有所述外部锚接片的所述最顶和最底表面中的选定表面上。
17.如权利要求1所述的多层电子元件,其中所述多个内部电极包括相反的第一和第二极性的电容器板,且其中所述多个内部电极的暴露部分以包括第一极性内部电极的至少一个列和包括第二极性内部电极的至少一个列对齐。
18.如权利要求1所述的多层电子元件,其中所述多个内部电极以基本交叉梳状构造来配置,多个电极接片部分从选定内部电极的一个或更多选定侧面延伸,使得该电极接片部分在该多层电子元件上的周围位置处以预定数目的对齐列暴露。
19.如权利要求18所述的多层电子元件,其中所述多个对齐列的预定数目在4到40的范围。
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