[发明专利]电子器件的制造方法、电子器件及电子设备

权利要求书

1.一种电子器件的制造方法，其是制造具备基板、和形成为规定的形状的图案的有机薄膜的电子器件的方法，其特征在于，包括：

第一工序，其在所述基板的一面侧形成被膜，所述被膜用含有能够与第二化合物结合的聚合引发部位、且在光的作用下发生交联反应的第一化合物构成；

第二工序，其通过位置选择性地向所述被膜的对应所述有机薄膜的区域照射光而使所述被膜形成为规定形状的图案，从而形成第一层；

第三工序，其通过使含有所述第二化合物的液体与所述第一层接触，使所述聚合引发部位与所述第二化合物结合，在所述第一层上形成第二层，由此形成所述有机薄膜。

2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中，

所述第一化合物以通过光的照射固化的光固化性化合物为主要成分。

3.根据权利要求2所述的电子器件的制造方法，其中，

所述光固化性化合物用预聚物材料或聚合物材料构成，这些材料具有含有所述聚合引发部位的第一重复单元结构和通过光照射发生交联反应的第二重复单元结构。

4.根据权利要求3所述的电子器件的制造方法，其中，

通过改变所述光固化性化合物中含有的所述第一重复单元结构的比率来调节所述聚合引发部位的密度。

5.根据权利要求3或4所述的电子器件的制造方法，其中，

通过改变所述光固化性化合物中含有的所述第二重复单元结构的比率来调节利用所述交联反应形成的交联结构的密度。

6.根据权利要求3～5中任意一项所述的电子器件的制造方法，其中，

所述第一重复单元结构含有由下述化学式(1)表示的结构。

[化1]

7.根据权利要求3～6中任意一项所述的电子器件的制造方法，其中，所述第二重复单元结构含有由下述化学式(2)表示的结构。

[化2]

8.根据权利要求3～7中任意一项所述的电子器件的制造方法，其中，

所述光固化性化合物中的所述第一重复单元结构的比例为0.5～49.5mol％。

9.根据权利要求3～8中任意一项所述的电子器件的制造方法，其中，

所述光固化性化合物中的所述第二重复单元结构的比例为0.5～10mol％。

10.根据权利要求3～9中任意一项所述的电子器件的制造方法，其中，

所述光固化性化合物还具有含有亲水性部位的第三重复单元结构。

11.根据权利要求1～10中任意一项所述的电子器件的制造方法，其中，

在所述第一工序中，使促进所述交联反应的聚合引发剂与所述第一化合物接触，

该聚合引发剂是通过光的照射产生自由基的聚合引发剂。

12.一种电子器件的制造方法，其是制造具备基板、和形成为规定的形状的图案的有机薄膜的电子器件的方法，其特征在于，具有：

第一工序，其在所述基板的一面侧形成被膜，所述被膜用含有能够与第二化合物结合的聚合引发部位、在光的作用下发生分解反应的第一化合物构成；

第二工序，其通过位置选择性地向所述被膜的对应所述有机薄膜的区域以外的区域照射光而使所述被膜形成为规定形状的图案，从而形成第一层；

第三工序，其通过使含有所述第二化合物的液体与所述第一层接触，使所述聚合引发部位与所述第二化合物结合，在所述第一层上形成第二层，由此形成所述有机薄膜。

13.根据权利要求12所述的电子器件的制造方法，其中，

所述第一化合物以通过光的照射发生分解的光分解性化合物为主要成分。

14.根据权利要求1～13中任意一项所述的电子器件的制造方法，其中，

所述聚合引发部位为含有卤素的官能团。

15.根据权利要求1～14中任意一项所述的电子器件的制造方法，其中，

所述第二化合物以(甲基)丙烯酸酯系化合物、环氧系化合物及氧杂环丁烷系化合物中的至少一种为主要成分。