[发明专利]半导体封装构造以及制造该半导体封装构造的方法无效

专利信息
申请号: 200710139892.3 申请日: 2007-07-26
公开(公告)号: CN101090078A 公开(公告)日: 2007-12-19
发明(设计)人: 陈裕文 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00;H01L23/488;H01L23/31;H05K1/18;H05K3/34
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陆嘉
地址: 台湾省高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 构造 以及 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种半导体封装构造及其制造方法,更特别有关于具有表面黏着组件的半导体封装构造及其制造方法。

背景技术

一般来说,半导体封装构造包含基板以及设在基板上的电子组件。参考图1,习知的半导体封装构100包含一基板110,基板110的上表面112设有一芯片120以及数个表面黏着组件130,例如电容,表面黏着组件130则藉由设在基板上表面112的焊垫140与基板110电性连接。

上述的表面黏着组件130一般是藉由回焊(reflow)制程使表面黏着组件130的两端藉由焊锡160黏着于焊垫140上,达到与基板110电性连接的目的。在进行上述回焊制程之前,基板上表面112已事先涂布一层防焊层(solder mask)(图未示),以防止回焊时焊锡覆盖基板110上的其它线路造成短路;另外,防焊层则不可覆盖于焊垫140上,以使焊锡160能让表面黏着组件130黏着于焊垫140上。

参考图2,为保护基板110上的组件,常于基板上表面112注入封胶150,以将芯片120以及表面黏着组件130覆盖。然而,表面黏着组件130黏着于焊垫140上后,其底部并非紧贴于基板110上,而是离开基板110一小段距离,造成一个小空隙132,但由于此空隙132极小,封胶150不易流入填满其中。当上述覆盖有封胶150的基板110经过其它后续的热制程时,例如于基板110的下表面植球(ball mount),以使封装构造100能与外界装置电性连接时,将表面黏着组件130黏着于焊垫140上的焊锡160有可能再度融化,产生流动。此时,若黏着于表面黏着组件130两端的焊锡160因融化而流入组件130下方的空隙132内时,将有可能融接在一起,因此产生桥接的情形;或者是黏着于表面黏着组件130一端的焊锡160融化,造成表面黏着组件130的一端翘起,产生碑立的情形。

上述情况,会造成封装构造100的失效,或者是对封装构造100的可靠度产生影响。

有鉴于此,便有须提出一种制造半导体封装构造的方法,以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种制造半导体封装构造的方法,可避免发生桥接以及表面黏着组件碑立的情形。

于一实施例中,本发明的制造半导体封装构造的方法包含:提供一基板,并于基板的上表面开设至少一个槽孔;接着将一芯片设置于基板的上表面,并将至少一个表面黏着组件设置覆于槽孔的上方,同时并使表面黏着组件与基板电性连接;再来将一环形体设置于基板的上表面,并围绕芯片与表面黏着组件;随后将封胶注入环形体于基板上表面所围绕的空间内,以包覆表面黏着组件。

上述的制造半导体封装构造的方法,由于表面黏着组件的下方具有槽孔,于注胶过程中封胶会流入槽孔内并将表面黏着组件下方的空间填满,避免孔洞的产生。如此,可防止当黏着表面黏着组件的焊锡因受热再度融化时,产生桥接以及表面黏着组件碑立的情形。再者,环形体于注胶的过程中可充当挡墙,防止封胶流入其它区域,更可使封胶容易完全覆盖表面黏着组件以及填满芯片。

附图说明

为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显,下文特举本发明实施例,并配合所附图示,作详细说明如下:

图1:为一种未包含封胶的习知半导体封装构造的剖面图。

图2:为图1的半导体封装构造的剖面图,包含有封胶覆盖表面黏着组件。

图3a至图3f:为本发明的制造半导体封装构造的方法,其中图3c为一俯视图,图3f显示制造完成的半导体封装构造。

图号说明

100半导体封装构造 110基板

112上表面         114下表面

120芯片           130表面黏着组件

132空隙           140焊垫140

150封胶           160焊锡

300半导体封装构造 310基板

312上表面         316槽孔

320芯片           330表面黏着组件

350封胶           360焊锡

370环形体         380空间

390散热片         L1长度

L2长度            W1宽度

W2宽度

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710139892.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top