[发明专利]埋入半导体芯片的电路板结构及其制法有效
申请号: | 200710139779.5 | 申请日: | 2007-07-31 |
公开(公告)号: | CN101359639A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 胡竹青;陈尚玮 | 申请(专利权)人: | 全懋精密科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/498;H01L23/492;H01L23/13;H01L21/60;H05K1/18;H05K3/32 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 埋入 半导体 芯片 电路板 结构 及其 制法 | ||
1.一种埋入半导体芯片的电路板结构,包括:
一承载板,具有至少一开口;
一半导体芯片,连接安置于该承载板开口中,该半导体芯片具 有一主动面,于该主动面具有多个电极垫,该半导体芯片的主动面 及电极垫表面进一步包括一钝化保护层,且该钝化保护层表面形成 有开孔以露出该电极垫,从而于该电极垫上形成有一连接金属层;
一保护层,形成于该钝化保护层及连接金属层表面上以保护该 半导体芯片表面的连接金属层,其中,该保护层是选自聚酰亚胺、 环氧树脂或苯环丁烯;
一介电层,形成于该承载板表面及该保护层表面;以及
一线路层,形成于该介电层上,且该线路层具有形成于贯穿该 介电层及保护层中的导电结构以电性连接该半导体芯片的连接金属 层,其中,该导电结构接触该介电层及保护层。
2.如权利要求1所述的埋入半导体芯片的电路板结构,其中,该承 载板为形成有线路的电路板、绝缘板及金属板其中之一。
3.如权利要求1所述的埋入半导体芯片的电路板结构,其中,该连 接金属层为铜金属。
4.如权利要求1所述的埋入半导体芯片的电路板结构,进一步包括 一线路增加层结构,形成于该介电层及该线路层上,而该线路增 加层结构电性连接至该线路层,且该线路增加层结构最外表面形 成多电性连接垫。
5.如权利要求4所述的埋入半导体芯片的电路板结构,其中,该线 路增加层结构外表面形成一防焊层,且该防焊层中形成多个开孔 以露出所述电性连接垫。
6.如权利要求4所述的埋入半导体芯片的电路板结构,其中,该线 路增加层结构包括至少一介电层,叠放置于该介电层上的线路层, 以及形成于该介电层中的导电结构。
7.一种埋入半导体芯片的电路板结构的制法,包括:
提供一具有主动面的半导体晶片,而该主动面具有多个电极垫, 该半导体芯片的主动面及电极垫表面进一步包括形成一钝化保护 层,且该钝化保护层表面形成有开孔以露出该电极垫,从而于该电 极垫上形成有一连接金属层;
于该钝化保护层及连接金属层表面上形成一保护层,且该保护 层的材质是选自聚酰亚胺、环氧树脂或苯环丁烯;
切割该半导体晶片及保护层,以将该半导体晶片切割成多个表 面具有该保护层的半导体芯片;
提供一至少具有一开口的承载板,且将至少一具有该保护层的 半导体芯片连接安置于该开口中;
于该承载板及保护层表面形成一介电层;
于该介电层及保护层中对应该半导体芯片的连接金属层的位置 形成开孔以露出该连接金属层;以及
于该介电层表面形成一线路层,且于该介电层及保护层开孔中 形成导电结构,使该线路层经由该导电结构以电性连接该半导体芯 片的连接金属层。
8.如权利要求7所述的埋入半导体芯片的电路板结构的制法,其中, 该承载板为形成有线路的电路板、绝缘板及金属板其中之一。
9.如权利要求7所述的埋入半导体芯片的电路板结构的制法,其中, 该连接金属层为铜金属。
10.如权利要求7所述的埋入半导体芯片的电路板结构的制法,进一 步包括于该介电层及该线路层上形成一线路增加层结构,该线路 增加层结构电性连接至该线路层,且该线路增加层结构最外表面 形成多个电性连接垫。
11.如权利要求10所述的埋入半导体芯片的电路板结构的制法,进一 步包括于该线路增加层结构外表面形成一防焊层,且该防焊层中 形成多个开孔以露出所述电性连接垫。
12.如权利要求10所述的埋入半导体芯片的电路板结构的制法,其 中,该线路增加层结构包括至少一介电层、叠放置于该介电层上 的线路层,以及形成于该介电层中的导电结构。
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