[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种显示装置及其制造方法，更具体地讲，涉及一种包括具有改进的特性的薄膜晶体管的显示装置及其制造方法。

背景技术

近来，已经采用平板显示器来代替阴极射线管(CRT)，所述平板显示器例如为液晶显示器(LCD)或有机发光二极管(OLED)。

LCD包括：第一基底，薄膜晶体管(TFT)形成在第一基底上；第二基底，与第一基底相对地设置；液晶层，置于这两个基底之间。LCD还可包括位于第一基底后面的背光单元。根据液晶层中的液晶分子的取向来控制来自背光单元的光的透过率，而液晶层中的液晶分子的取向由通过TFT施加到像素电极的电压确定。

OLED包括当被提供有电子和空穴时发光的有机发光层。OLED具有所需的驱动电压低、重量轻、形状细长、视角宽和响应快的优点。有机发光层的发光强度通过由连接到TFT的像素电极提供的空穴的量确定。

在包括TFT的平板显示器中，显示品质显著地受到TFT品质的影响。然而，随着时间的过去，TFT由于使用而使其品质和性能趋于劣化。

发明内容

本发明提供了一种具有特性改进的TFT的显示装置及其制造方法。根据本发明的一个实施例，一种显示装置包括：绝缘基底；半导体层，形成在所述绝缘基底上，并包含硅和氟；源电极，所述源电极的至少一部分形成在所述半导体层上；漏电极，所述漏电极的至少一部分形成在所述半导体层上，所述漏电极与所述源电极分开，并在所述源电极和所述漏电极之间具有沟道区；欧姆接触层，形成在所述半导体层和所述源电极之间以及所述半导体层和所述漏电极之间；绝缘层，形成在所述半导体层上。

根据本发明的另一实施例，所述半导体层在所述沟道区中的部分比所述半导体层的周边部分薄。

根据本发明的另一实施例，所述半导体层包含多晶硅。

根据本发明的另一实施例，所述显示装置还包括设置在所述绝缘层上并对应于所述沟道区的栅电极。

根据本发明的另一实施例，所述显示装置还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述绝缘基底和所述半导体层之间并包含氧化硅。

根据本发明的另一实施例，接触孔形成在所述绝缘层中，以暴露所述漏电极，所述显示装置还包括像素电极，所述像素电极通过所述接触孔连接到所述漏电极。

根据本发明的另一实施例，所述显示装置还包括形成在所述像素电极上的有机层。

根据本发明的一个实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：绝缘基底；半导体层，形成在所述绝缘基底上，并包含硅；源电极，所述源电极的至少一部分形成在所述半导体层上；漏电极，所述漏电极的至少一部分形成在所述半导体层上，所述漏电极与所述源电极分开，并在所述源电极和所述漏电极之间具有沟道区；欧姆接触层，形成在所述半导体层和所述源电极之间以及所述半导体层和所述漏电极之间；界面层，形成在所述沟道区中的半导体层上，并包含硅和氟；绝缘层，形成在所述界面层上。

根据本发明的一个实施例，提供了一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在绝缘基底上顺序地形成半导体层和欧姆接触层；在所述欧姆接触层上形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极彼此分开，并在所述源电极和所述漏电极之间具有沟道区；通过去除所述欧姆接触层的不被所述源电极和所述漏电极覆盖的部分来暴露设置在所述源电极和所述漏电极之间的半导体层；对所述暴露的半导体层进行酸处理；在所述酸处理之后，在所述半导体层上形成绝缘层。

根据本发明的另一实施例，采用氢氟酸、硫酸和硝酸中的至少一种执行所述酸处理。

根据本发明的另一实施例，采用氢氟酸执行所述酸处理。

根据本发明的另一实施例，所述氢氟酸的浓度以体积百分比计为0.001至10。

根据本发明的另一实施例，采用浸渍法或喷射法执行所述酸处理。

根据本发明的另一实施例，所述方法还包括在所述酸处理之后采用氢等离子体处理所述半导体层。

根据本发明的另一实施例，所述形成半导体层的步骤包括：在所述绝缘基底上形成非晶硅层，并使所述非晶硅层结晶。

根据本发明的另一实施例，所述方法还包括在所述绝缘基底上形成包含氧化硅的缓冲层，其中，所述非晶硅层形成在所述缓冲层上。

根据本发明的另一实施例，所述方法还包括对应于所述沟道区在所述绝缘层上形成栅电极。

根据本发明的另一实施例，所述方法还包括：在所述绝缘层中形成接触孔，以暴露所述漏电极；形成像素电极，所述像素电极通过所述接触孔连接到所述漏电极。

根据本发明的另一实施例，所述方法还包括在所述像素电极上形成有机层。