[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 200710138840.4 | 申请日: | 2007-06-15 |
公开(公告)号: | CN101090114A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 鹰巢博昭;山本祐广 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/544 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;刘宗杰 |
地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
硅衬底;和
布置在硅衬底上的多个IC芯片,每个IC芯片包含晶体管和用于探测的焊垫区;
与该多个IC芯片相邻的划片区;和
在划片区或所述多个IC芯片中提供的用于在探测时检测位移的图案,所述图案包括多个微小导体,所述多个微小导体被保护膜覆盖以电隔离所述多个微小导体,
其中所述多个微小导体的每一个是彼此电绝缘的并且小于探针尖端,所述探针用于对该多个IC芯片进行探测。
2.根据权利要求1的半导体装置,其中分别为该多个IC芯片中的每个提供一对所述图案。
3.根据权利要求1的半导体装置,其中,为待同时探测的所有该多个IC芯片提供一对所述图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的