[发明专利]RF功率放大器

权利要求书

1、一种RF功率放大器，包括：

第一放大器件；及

第二放大器件，

其中在公共的半导体芯片上形成第一和第二放大器件，作为并联连接在输入端和输出端之间的末级功率放大器件，

第一放大器件的输入端的第一偏置电压被设定为高于第二放大器件的输入端的第二偏置电压，以使得第一放大器件可工作于具有π(180°)的导通角的B类和具有π(180°)到2π(360°)的导通角的AB类之间的任一工作类，并且第二放大器件可工作于具有低于π(180°)的导通角的C类，并且

将第一放大器件的第一有效器件尺寸有意地设定为小于第二放大器件的第二有效器件尺寸，小的程度超过半导体芯片的制造误差范围。

2、权利要求1的RF功率放大器，其中通过第一负载器件向第一放大器件的输出电极提供第一电源电压，

通过第二负载器件向第二放大器件的输出电极提供第二电源电压，并且

电源提供电路工作，使得第一电源电压的电平响应于RF功率放大器的输出功率水平的减小而减小。

3、权利要求1的RF功率放大器，其中通过第一负载器件向第一放大器件的输出电极提供第一电源电压，

通过第二负载器件向第二放大器件的输出电极提供第二电源电压，并且

电源提供电路工作，使得第二电源电压的电平响应于RF功率放大器的输出功率水平的上升而上升。

4、权利要求1的RF功率放大器，其中1/4波长输出线连接在输出端与第一放大器件的输出电极之间，并且

1/4波长输入线连接在第二放大器件的输入电极与输入端之间，从而第一和第二放大器件按照多赫蒂系统工作。

5、权利要求2的RF功率放大器，还包括RF驱动及放大级，用于驱动末级功率放大器件，

其中将外部电源电压提供给电源提供电路，并将响应于发射水平指定信号的电平而受到控制的第一和第二电源电压分别提供给第一和第二放大器件。

6、权利要求5的RF功率放大器，其中通过第一负载器件向第一放大器件的输出电极提供第一电源电压，

通过第二负载器件向第二放大器件的输出电极提供第二电源电压，并且

电源提供电路工作，使得第一电源电压的电平响应于RF功率放大器的输出功率水平的减小而减小。

7、权利要求5的RF功率放大器，其中通过第一负载器件向第一放大器件的输出电极提供第一电源电压，

通过第二负载器件向第二放大器件的输出电极提供第二电源电压，并且

电源提供电路工作，使得第二电源电压的电平响应于RF功率放大器的输出功率水平的上升而上升。

8、权利要求5的RF功率放大器，其中电源提供电路包括由开关稳压器组成的DC-DC转换器。

9、权利要求5的RF功率放大器，还包括：

功率检测器，用于检测与来自输出端的输出功率有关的水平；

误差放大器，用于在被提供了发射水平指定信号和功率检测器的功率检测信号时，产生自动功率控制信号；

驱动输入偏置电路，用于响应于由误差放大器产生的自动功率控制信号来控制RF驱动及放大级的驱动输入偏置电压的电平；以及

末级输入偏置电路，用于响应于由误差放大器产生的自动功率控制信号，来控制作为末级功率放大器件的第一和第二放大器件的末级输入偏置电压的电平。

10、权利要求1的RF功率放大器，其中第一和第二放大器件中的每一个都是场效应晶体管。

11、权利要求10的RF功率放大器，其中场效应晶体管是LDMOS。

12、权利要求1的RF功率放大器，其中第一和第二放大器件中的每一个都是双极晶体管。

13、权利要求12的RF功率放大器，其中双极晶体管是异质结型。

14、权利要求1的RF功率放大器，其中将第一放大器件的第一有效器件尺寸设定为基本上是第二放大器件的第二有效器件尺寸的一半。

15、权利要求9的RF功率放大器，其中在其上形成有第一和第二放大器件的半导体芯片、功率检测器、误差放大器以及DC-DC转换器都包含在RF功率模块封装中。