[发明专利]CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器

权利要求书

1.一种CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，具有一对振荡器输出端，其特征在于包括：

一电流控制单元，其耦接于一相对高电压与一相对低电压之间；

一第一交互耦合差动对、一电感单元、一电容单元、以及一第二交互耦合差动单元，以并联形式耦接于该对振荡器输出端之间，并以串叠形式耦接于该电流控制器与该相对高电压之间；其中，该电感单元还提供有一共用接点；以及

一电压控制器，耦接于该共用接点与该相对低电压之间，并根据多个电压控制信号控制该电容单元后，至该对振荡器输出端输出。

2.根据权利要求1所述的CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，其特征在于，该电感单元具有第一电感器和第二电感器，串接于该对振荡器输出端之间，而该第一电感器与该第二电感器的连接处即为该共用接点。

3.根据权利要求1所述的CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，其特征在于，该电感单元为单一电感器，靠近该单一电感器中央处为该共用接点。

4.根据权利要求1所述的CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，其特征在于，该电容单元具有多个开关电容组，并联于该对振荡器输出端之间。

5.根据权利要求4所述的CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，其特征在于，每一该开关电容组具有第一电容与第二电容，串接于该对振荡器输出端之间，该第一电容与该第二电容连接处是一偏压点。

6.根据权利要求5所述的CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，其特征在于，该电压控制单元具有多个缓冲器，用以将这些电压控制信号处理后，耦接至这些开关电容组中之一的该偏压点。

7.根据权利要求1所述的CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，其特征在于，该第一交互耦合差动对是由一对PMOS场效应晶体管交互耦合而成。

8.根据权利要求1所述的CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，其特征在于，该第二交互耦合差动对是由一对NMOS场效应晶体管交互耦合而成。

9.根据权利要求1所述的CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，其特征在于还包括一电容器，其耦接于该共用接点与该相对低电压之间。

10.一种CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，具有一对振荡器输出端，其特征在于包括：

一电流控制单元，耦接于一相对高电压与一相对低电压之间；

一第一交互耦合差动对、一电感单元、一电容单元以及一第二交互耦合差动单元，以并联形式耦接于该对振荡器输出端之间，并以串叠形式耦接于该电流控制器与该相对低电压之间；其中，该电感单元还提供有一共用接点；以及

一电压控制器，其耦接于该共用接点与该相对高电压之间，并根据多个电压控制信号控制电容单元后，至该对振荡器输出端输出。

11.根据权利要求9所述的CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，其特征在于，该电感单元具有第一电感器和第二电感器，串接于该对振荡器输出端之间，而该第一电感器与该第二电感器的连接处为该共用接点。

12.根据权利要求9所述的CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，其特征在于，该电感单元为单一电感器，靠近该单一电感器中央处为该共用接点。

13.根据权利要求9所述的CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，其特征在于，该电容单元具有多个开关电容组，并联于该对振荡器输出端之间。

14.根据权利要求12所述的CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，其特征在于，每一该开关电容组具有第一电容与第二电容，串接于该对振荡器输出端之间，该第一电容与该第二电容连接处是一偏压点。

15.根据权利要求13所述的CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，其特征在于，该电压控制单元具有多个缓冲器，用以将这些电压控制信号处理后，耦接至这些开关电容组中之一的该偏压点。

16.根据权利要求9所述的CMOS交互耦合差动式电压控制振荡器，其特征在于，该第一交互耦合差动对是由一对PMOS场效应晶体管交互耦合而成。