[发明专利]显示器件及其制作方法

权利要求书

1.一种显示器件，包括：

衬底；

在所述衬底上形成的栅电极；

在所述栅电极上形成的栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上形成的第一绝缘膜，其中所述第一绝缘膜具有在 所述栅电极上的第一开口；

在所述栅电极上形成的有机半导体层，所述栅绝缘膜介于所述有机 半导体层与所述栅电极之间，其中所述有机半导体层在所述第一绝缘膜 的所述第一开口中形成；

在所述有机半导体层上形成的引线，其中所述引线延伸过所述有机 半导体层的边缘，以便所述引线的一部分位于所述第一绝缘膜上；

在所述有机半导体层、所述第一绝缘膜和所述引线上形成的第二绝 缘膜，其中所述第二绝缘膜具有暴露所述引线的上表面的第二开口；

在所述第二绝缘膜上形成的、并经所述第二开口电连接到所述引线 的象素电极；

在所述象素电极上的对比介质，该对比介质包括包含带电粒子的微 胶囊。

2.根据权利要求1的显示器件，其中所述衬底是塑料衬底。

3.根据权利要求2的显示器件，其中所述塑料衬底包括从由聚对苯 二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、 聚碳酸酯(PC)和聚酰亚胺组成的组中选择的材料。

4.根据权利要求1的显示器件，还包括位于所述衬底和所述栅电极 之间的阻挡层，其中所述阻挡层包括从由AlO_xN_1-x和氮化硅组成的组中 选择的材料，其中x＝0.01到0.2。

5.根据权利要求1的显示器件，其中所述第二绝缘膜包括树脂。

6.根据权利要求1的显示器件，其中所述第一绝缘膜包括树脂。

7.根据权利要求1的显示器件，其中所述有机半导体层接触所述第 一绝缘膜的所述第一开口的内侧表面。

8.根据权利要求1的显示器件，其中所述第一绝缘膜的所述第一开 口的底部边缘接触所述栅绝缘膜。

9.一种用于显示的半导体器件，包括：

具有第一表面与第二表面的衬底；

在所述衬底的所述第一表面上形成的栅电极；

在所述栅电极上形成的栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上形成的第一绝缘膜，其中所述第一绝缘膜具有在 所述栅电极上的第一开口；

在所述栅电极上形成的有机半导体层，所述栅绝缘膜介于所述有机 半导体层与所述栅电极之间，其中所述有机半导体层在所述第一绝缘膜 的所述第一开口中形成；

在所述有机半导体层上形成的引线，其中所述引线延伸过所述有机 半导体层的边缘，以便所述引线的一部分位于所述第一绝缘膜上；

在所述有机半导体层、所述第一绝缘膜和所述引线上形成的第二绝 缘膜，其中所述第二绝缘膜具有暴露所述引线的上表面的第二开口；

在所述第二绝缘膜上形成的且经所述第二开口电连接到所述引线的 电极；

经设置在所述衬底中的第三开口而电气连接到所述栅电极的驱动集 成电路。

10.根据权利要求9的半导体器件，其中所述衬底是塑料衬底。

11.根据权利要求10的半导体器件，其中所述塑料衬底包括从由聚 对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜 (PES)、聚碳酸酯(PC)和聚酰亚胺组成的组中选择的材料。

12.根据权利要求9的半导体器件，还包括位于所述衬底和所述栅 电极之间的阻挡层，其中所述阻挡层包括从由AlO_xN_1-x和氮化硅组成的 组中选择的材料，其中x＝0.01到0.2。

13.根据权利要求9的半导体器件，其中所述第二绝缘膜包括树脂。

14.根据权利要求9的半导体器件，其中所述第一绝缘膜包括树脂。