[发明专利]高压晶体管的以及整合低压与高压晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种具有双扩散漏极的高压晶体管的制造方法，包括：

依序形成一介电层与一导电层于一衬底上；

形成图案化的一光致抗蚀剂于该导电层上；

蚀刻暴露出的该导电层及其下的该介电层，以形成一栅极与一栅介电层于该衬底上；

稳定该光致抗蚀剂的结构；

进行一第一离子掺杂工艺，以在该栅极两侧的该衬底中分别形成一深结轻掺杂区；

去除该光致抗蚀剂；

形成二间隙壁于该栅极的侧壁；以及

进行一第二离子掺杂工艺，以在该些间隙壁的外侧衬底中形成重掺杂区，该第二离子掺杂工艺的离子掺杂能量小于该第一离子掺杂工艺的离子掺杂能量，该些深结轻掺杂区的离子掺杂浓度小于该些重掺杂区的离子掺杂浓度。

2.如权利要求1所述的具有双扩散漏极的高压晶体管的制造方法，其中稳定该光致抗蚀剂的方法包括硬烤。

3.如权利要求1所述的具有双扩散漏极的高压晶体管的制造方法，其中该硬烤的方法包括加热或照射紫外光。

4.如权利要求1所述的具有双扩散漏极的高压晶体管的制造方法，其中该光致抗蚀剂的厚度大于8000埃。

5.如权利要求1所述的具有双扩散漏极的高压晶体管的制造方法，其中该导电层的材料包括多晶硅或硅化金属。

6.如权利要求1所述的具有双扩散漏极的高压晶体管的制造方法，该光致抗蚀剂的去除方法包括氧等离子体灰化法或湿式剥除法。

7.一种低压晶体管与具有双扩散漏极的高压晶体管的整合制造方法，包括：

依序形成一介电层与一导电层于一衬底上，该衬底具有一低压元件区与一高压元件区；

形成图案化的至少二第一光致抗蚀剂于该导电层上；

蚀刻暴露出的该导电层及其下的该介电层，以在该低压元件区与该高压元件区分别形成一第一与一第二栅极以及一第一与一第二栅介电层于该衬底上；

稳定该些第一光致抗蚀剂的结构；

形成图案化的一第二光致抗蚀剂覆盖于该低压元件区之上；

对该高压元件区进行一第一离子掺杂工艺，以在该第二栅极两侧的该衬底中分别形成一深结轻掺杂区；

去除该第二光致抗蚀剂；

进行一第二离子掺杂工艺，以在该第一栅极两侧的该衬底中分别形成轻掺杂漏极；

去除该些第一光致抗蚀剂；

形成多个间隙壁于该第一与该第二栅极的侧壁；以及

进行一第三离子掺杂工艺，以在该些间隙壁的外侧衬底中形成源极/漏极。

8.如权利要求7所述的低压晶体管与具有双扩散漏极的高压晶体管的整合制造方法，其中稳定该些第一光致抗蚀剂的方法包括硬烤。

9.如权利要求8所述的低压晶体管与具有双扩散漏极的高压晶体管的整合制造方法，其中该硬烤的方法包括加热或照射紫外光。

10.如权利要求7所述的低压晶体管与具有双扩散漏极的高压晶体管的整合制造方法，其中该些第一光致抗蚀剂的厚度大于8000埃。

11.如权利要求7所述的低压晶体管与具有双扩散漏极的高压晶体管的整合制造方法，其中该导电层的材料包括多晶硅或硅化金属。

12.如权利要求7所述的低压晶体管与具有双扩散漏极的高压晶体管的整合制造方法，该些第一光致抗蚀剂的去除方法包括氧等离子体灰化法或湿式剥除法。