[发明专利]限流电阻有效
| 申请号： | 200710136891.3 | 申请日： | 2007-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101179070A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陈克明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 限流 电阻 | ||
1.一种限流电阻，适用于静电放电装置，该限流电阻包括：
至少一个第一主动区，形成静电放电晶体管的源极/漏极；及
至少一个具有螺旋形状的阻抗元件，形成于半导体结构的单层中；
其中，该阻抗元件具有第一端耦接该第一主动区，及第二端耦接焊盘。
2.如权利要求1所述的限流电阻，其中，该焊盘为正高电压源(Vdd)端或互补低电压源(Vss)端。
3.如权利要求1所述的限流电阻，其中，该阻抗元件由一个或多个主动区所构成，而该单层为基材。
4.如权利要求3所述的限流电阻，其中，该主动区为硅化主动区。
5.如权利要求3所述的限流电阻，其中，该主动区的宽度、以及两主动区间的空间，遵循既定的最小设计规则。
6.如权利要求1所述的限流电阻，其中，该螺旋形状为顺时针螺旋、逆时针螺旋、或锯齿形。
7.如权利要求1所述的限流电阻，其中，该第一主动区为该静电放电晶体管的漏极，因此该阻抗元件的第二端耦接该焊盘。
8.如权利要求1所述的限流电阻，其中，该第一主动区为该静电放电晶体管的源极，因此该阻抗元件的第二端耦接正高电压源(Vdd)或互补低电压源(Vss)。
9.一种限流电阻，适用于静电放电装置，该限流电阻包括：
至少一个第一主动区，形成静电放电晶体管的源极/漏极；及
至少一个具有螺旋形状的阻抗元件，由一个或多个第二主动区形成；
其中，该阻抗元件具有一个第一端耦接该第一主动区，及一个第二端耦接一焊盘。
10.如权利要求9所述的限流电阻，其中，该焊盘为正高电压源(Vdd)端或互补低电压源(Vss)端。
11.如权利要求9所述的限流电阻，其中，该第二主动区为硅化主动区。
12.如权利要求9所述的限流电阻，其中，该第二主动区的宽度、以及两个第二主动区间的空间，遵循既定最小设计规则。
13.如权利要求9所述的限流电阻，其中，该螺旋形状为顺时针螺旋、逆时针螺旋、或锯齿形。
14.如权利要求9所述的限流电阻，其中，该第一主动区为该静电放电晶体管的漏极，因此该阻抗元件的第二端耦接该焊盘。
15.如权利要求9所述的限流电阻，其中，该第一主动区为该静电放电晶体管的源极，因此该阻抗元件的第二端耦接正高电压源(Vdd)端或互补低电压源(Vss)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710136891.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
