[发明专利]检查方法及设备与光刻设备及器件制造方法有效
申请号: | 200710136655.1 | 申请日: | 2007-07-18 |
公开(公告)号: | CN101109910A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 梅西·杜萨;阿瑞·J·登波夫;胡戈·A·J·克拉莫 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/027;G06F17/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 齐晓寰 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 方法 设备 光刻 器件 制造 | ||
1.一种测量光刻工艺的参数的方法,在所述光刻工艺中,目标图案被印刷到衬底上,所述方法包括:
将基准图案的图像投影到校准衬底的辐射敏感层上多次,以通过所述光刻工艺形成多个校准图案,其中不同的参数值用于形成不同的校准图案,并且基准图案包括对于参数值变化具有不同敏感度的第一和第二部分;
将辐射检查束导引到校准图案上,并且测量从所述校准图案上反射或散射的辐射束以获得针对每一个校准图案的每一个部分的测量结果;
把针对每一个校准图案的第一部分的测量结果从针对相应校准图案的第二部分的测量结果中减去,以获得多个微分测量结果;
将每一个微分测量结果分解为一组基本函数和相关联的系数,并且获得系数值和参数值之间的关系;
将基准图案的图像投影到衬底的辐射敏感层上,以形成目标图案,其中用于形成目标图案的参数值是未知的;
将辐射检查束导引到目标图案上,并且测量从目标图案上反射或散射的辐射,以获得针对目标部分的每一个部分的目标测量结果;
从针对目标图案的第二部分的目标测量结果中减去针对目标图案的第一部分的目标测量结果,以获得目标微分测量结果;
将目标微分测量结果分解为一组系数与多个基本函数相乘,并且使用系数值和参数值之间的关系来确定用于形成目标图案的参数值。
2.根据权利要求1的方法,其中,在形成多个校准图案时改变光刻工艺的两个参数,从而获得了每一个参数的值和系数值之间的关系。
3.根据权利要求1的方法,其中,从以下组中选择参数:用于对基准图案的图像进行投影的投影系统的焦距、剂量、和/或像差。
4.根据权利要求1的方法,其中,基准图案的第一和第二部分每一个均包括主要图案和辅助特征。
5.根据权利要求4的方法,其中,基准图案的第一和第二部分的主要图案实质相同,但是第一部分的辅助特征与第二部分的辅助特征不同。
6.根据权利要求1的方法,其中,选择基准图案的第一和第二部分,使得针对给定的参数值,每一部分均形成了辐射敏感层中实质相同的图案。
7.根据权利要求1的方法,其中,目标图案下面的结构与校准图案下面的结构不同。
8.一种获得校准函数的方法,用于测量光刻工艺的参数,在所述光刻工艺中,目标图案被印刷到衬底上,所述方法包括:
将基准图案的图像投影到校准衬底的辐射敏感层上多次,以通过所述光刻工艺形成多个校准图案,其中不同的参数值用于形成不同的校准图案,并且基准图案包括对于参数值变化具有不同敏感度的第一和第二部分;
将辐射检查束导引到校准图案上,并且测量从所述校准图案上反射或散射的辐射束以获得针对每一个校准图案的每一个部分的测量结果;
把针对每一个校准图案的第一部分的测量结果从针对相应校准图案的第二部分的测量结果中减去,以获得多个微分测量结果;
将每一个微分测量结果分解为一组基本函数和相关联的系数,并且获得系数值和参数值之间的关系,作为校准函数。
9.一种测量光刻工艺的参数的方法,在所述光刻工艺中,目标图案被印刷到衬底上,其中基准图案包括对于参数值的变化具有不同敏感度的第一和第二部分,所述方法包括:
将辐射检查束投影到目标图案上,并且测量从所述校准图案上反射或散射的辐射束,以获得针对目标图案的每一个部分的测量结果;
从针对目标图案的第二部分的测量结果中减去针对目标图案的第一部分的测量结果,以获得目标微分测量结果;
将每一个目标微分测量结果分解为一组基本函数和相关联的系数,并且使用表示系数值和参数值之间关系的校准函数来确定用于形成目标图案的参数值。
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