[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 200710136087.5 | 申请日： | 2007-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101110426A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 赤堀浩史;竹内和歌子;佐藤敦祥 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/792;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：
半导体基板；
在所述半导体基板上形成为行列状的多个存储器单元；
选择性地连接于同一列方向的所述多个存储器单元的多个位线；以及
连接于同一行方向的所述多个存储器单元的多个字线；
其中，所述多个存储器单元的每一个，具备：
形成于所述半导体基板上的第1栅绝缘膜；
形成于所述第1栅绝缘膜上的电荷存储层；
形成于所述电荷存储层上的第2栅绝缘膜；以及
形成于所述第2栅绝缘膜上的控制电极；
其中，在沿着与所述位线垂直的方向的剖面，在设所述电荷存储层的上部角部或者表面凹凸部的曲率半径为r、所述第2栅绝缘膜的氧化膜换算厚度为d时，r/d大于等于0.5。
2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述第2栅绝缘膜的氧化硅膜换算厚度为d和从所述电荷存储层的所述表面凹凸部的顶部到底部的距离PV的比率d/PV大于等于2。
3.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：
半导体基板；
在所述半导体基板上形成为行列状的多个存储器单元；
选择性地连接于同一列方向的所述多个存储器单元的多个位线；以及
连接于同一行方向的所述多个存储器单元的多个字线；
所述多个存储器单元的每一个，具备：
形成于所述半导体基板上的第1栅绝缘膜；
形成于所述第1栅绝缘膜上的电荷存储层；
形成于所述电荷存储层上的第2栅绝缘膜；以及
形成于所述第2栅绝缘膜上的控制电极；
其中，沿着与所述位线垂直的方向的剖面的所述电荷存储层的上角部的曲率半径比沿着与所述字线垂直的方向的剖面的所述电荷存储层的上角部的曲率半径大。
4.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：
半导体基板；
形成于所述半导体基板上的第1栅绝缘膜；
形成于所述第1栅绝缘膜上的电荷存储层；
形成于所述电荷存储层上的第2栅绝缘膜；以及
形成于所述第2栅绝缘膜上的控制电极；
其中，所述第2栅绝缘膜的氧化硅膜换算厚度d和从所述电荷存储层的表面凹凸部的顶部到底部的距离PV的比率d/PV大于等于2。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于：所述第2栅绝缘膜包括由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、和包括Al、Hf、Zr、La的至少一种的金属氧化物膜构成的膜组中的任意一个膜或者包含大于等于2个所述膜的层积结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
