[发明专利]采用电介质存储元件的多态非易失性集成电路存储系统

权利要求书

1.一种包含存储器单元阵列的类型的非易失性存储器，所述存储器单元具有在半导电沟道中位于导电性材料和衬底的表面之间的电荷存储电介质材料，所述半导电沟道延伸穿过源极和漏极区域之间的表面，所述非易失性存储器包括：

编程电路，其包括可连接到至少所述导电性材料和所述漏极以向其上提供电压的电压源，所述提供的电压的量使得电荷通过热电荷注入或源极侧注入的沟道穿过各个已编址的存储器单元的沟道从所述衬底注入到所述电荷存储电介质的至少两个已定义的非重叠区域以达到多个级别，所述多个级别根据被编程的数据将所述沟道的至少两个部分的各自的阈值调整为两个以上级别中的一者，由此所述电介质存储材料的所述至少两个已定义的区域中的各个区域可存储多于一位的所述数据，和

读取电路，其包括电压源和读出放大器，所述读出放大器可连接到所述导电性材料、各个已编址的存储器单元的源极和漏极以监控与所述沟道的至少两个部分的各个部分的两个以上阈值级别中被编程的级别相关联的参数，且因此从所述电介质存储材料的各个已定义的区域读取多于一位的所述数据。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中所述电荷存储电介质包括氮化硅。

3.根据权利要求1所述的存储器，其中所述电荷存储电介质包括富硅二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的存储器，其中所述两个以上限定的范围精确地包括四个电荷范围。

5.根据权利要求1所述的存储器，其中所述两个以上限定的范围包括四个以上电荷范围。

6.根据权利要求1所述的存储器，其中所述各个存储器单元另外包括沿着至少位于所述源极和漏极区域之间的所述沟道连续延伸的所述电荷存储电介质材料。

7.根据权利要求1所述的存储器，其中所述各个单元中的所述导电性材料形成至少两个栅极，所述栅极位于具有在所述沟道下的所述电话存储电介质的所述至少两个已定义的非重叠区的所述沟道的不同部分上。

8.根据权利要求7所述的存储器，其中所述电荷存储电介质的所述区域中的至少一个区域位于所述至少两个栅极的每一者的下方。

9.根据权利要求7所述的存储器，其中所述至少两个栅极包括由导电性线形成的至少两个栅极，所述导电性线具有沿垂直于所述沟道的方向延伸的长度。

10.根据权利要求7所述的存储器，其中所述至少两个栅极包括由具有沿垂直于所述沟道的方向延伸的长度的导电性线形成的至少一个栅极，和由具有沿平行于所述沟道的方向延伸的长度的导电性线形成的至少一个栅极。