[发明专利]用于存储器单元的SONOS结构腐蚀工艺有效
| 申请号： | 200710135518.6 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101179018A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 肖志强;徐静;李俊;高向东;吴晓鸫 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/311;G03F7/42 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 单元 sonos 结构 腐蚀 工艺 | ||
1.用于存储器单元的SONOS结构腐蚀工艺，包括依次叠加在衬底硅(1)上面的底部隧道氧化层(2)、中间SiN层(3)、顶层SiO2层(4)及多晶硅(5)，其特征是：
第一步，在多晶硅(5)的局部表面进行光刻，光刻之后在多晶硅(5)的局部表面形成光刻胶(6)；
第二步，用等离子体反应刻蚀未被光刻胶(6)覆盖的多晶硅(5)，露出位于多晶硅(5)下面的顶层SiO2层(4)，所述等离子体的混合气体成分是压力为3.8～4.2毫托的He、流量为25～35sccm的HBr、25～35sccm的Cl；
第三步，用浓度约为0.5％的HF溶液腐蚀掉顶层SiO2层(4)，露出位于顶层SiO2层(4)下面的中间SiN层(3)；
第四步，去除上述光刻胶(6)，去除方法是将整个硅片置于温度为110～130℃的浓硫酸+双氧水混合液中约10～30分钟，所述浓硫酸+双氧水混合液为98％的浓硫酸：双氧水的体积比为2.5～3.5∶1；
第五步，用98％的H3PO4溶液腐蚀掉中间SiN层(3)，露出位于中间SiN层(3)下面的底部隧道氧化层(2)，H3PO4溶液腐蚀时的温度为150～170℃，时间为3～7分钟。
2.如权利要求1所述用于存储器单元的SONOS结构腐蚀工艺，其特征在于，多晶硅(5)的厚度在200nm～350nm，顶层SiO2层(4)的厚度为中间SiN层(3)的厚度为底部SiO2隧道氧化层(2)的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
