[发明专利]降低亚微米集成电路接触孔电阻的方法有效
| 申请号： | 200710135506.3 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101159248A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 赵文彬;陈海峰;刘允;肖志强 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 微米 集成电路 接触 电阻 方法 | ||
技术领域
本发明涉及集成电路的制造方法，具体地说是一种降低亚微米集成电路接触孔电阻的方法。
背景技术
随着微电子工业迅速发展，工艺制造技术快速进步，已经达到超大规模集成电路(ULSI)阶段。芯片尺寸增大，工作频率提高，这就要求提供更低的金属互连电阻，金属化(Metallization)成为一个极为重要的关键步骤。在工艺制造中，金属用以连接(Interconnect)器件的源极(Source)，漏极(Drain)和栅极(Gate)的接触孔(Contact)孔径缩小了许多，然而用以分开金属导线的介质层(Dielectric)厚度无法相对的减小，从而导致孔径和介质层的纵宽比(AspectRatio)增大，孔填充的工艺难度加大。表1为0.6～1.5um不同工艺的金属接触孔纵宽比。
表1不同工艺种类的孔纵宽比
目前，在0.6～1.5um工艺中，金属填充孔的工艺总体有以下两种：
1)Al-Si-Cu合金。常规金属淀积工艺使用的是Al合金靶材(1％Si、0.5％Cu)，孔接触电阻在50-100欧姆间。由于Si与Cu在Al薄膜中的溶解度随温度而改变，在热处理时，Si与Cu因冷却而析出。对接触窗口Al-Si-Cu金属膜，Si析出后可能在金属膜/硅衬底界面形成一层硅薄膜，其中掺有Al原子而呈p-type特性。如果硅衬底是n-type的形式就会形成一个p-n接面。此现象在接触窗口愈小时愈明显。同时Si晶粒(Nodule)(见图1)的存在也会导致Al薄膜电阻率增加以及抗反射层TiN(Anti-reflection Coating-TiN)的蚀刻问题，因此在使用TiN扩散阻挡层(Diffusion Barrier)后，Al合金薄膜中不再须要含Si。至于Cu则可能与Al作用生成电阻率较高之Al2Cu(见图2)。
2)孔Silicide工艺-金属硅化物
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