[发明专利]一种封装固体高纯金属有机化合物的容器及其应用

权利要求书

1.一种封装固体高纯金属有机化合物的容器，包括瓶体[1]、进气管[5]、和出气管[9]，瓶体[1]上设有加料口[7]，其特征在于：所述瓶体[1]内设有隔板[2]，将内腔分成左腔和右腔；所述进气管[5]插入左腔的底部；所述出气管[9]插入右腔的底部；加料口[7]设置在瓶体[1]的上部，并位于进气管[5]和出气管[9]之间。

2.根据权利要求1所述的一种封装固体高纯金属有机化合物的容器，其特征在于：所述加料口[7]的中心位置与隔板[2]相对。

3.根据权利要求1所述的一种封装固体高纯金属有机化合物的容器，其特征在于：所述左腔的底部设有网状片[6]，进气管[5]的底部接近网状片[6]。

4.根据权利要求1所述的一种封装固体高纯金属有机化合物的容器，其特征在于：所述左腔与右腔的容积比为6∶4～8∶2。

5.根据权利要求1所述的一种封装固体高纯金属有机化合物的容器，其特征在于：所述加料口[7]的内部设有配套的塞子[8]。

6.权利要求1所述的一种封装固体高纯金属有机化合物的容器应用于金属有机化学气相沉积过程，包括以下步骤：

①从加料口[7]按比例向左腔和右腔内加入固体金属有机化合物[12]，加完后用配套的螺冒封住加料口[7]；

②通过载气入口[3]和载气出口[11]将封装容器接入金属有机化学气相沉积过程所使用的载气气路当中；

③将封装容器的温度调节到设定温度并保持此温度的稳定性，使瓶内固体金属有机化合物的蒸气压稳定；

④打开进气阀[4]和出气阀[10]，使固体金属有机化合物的蒸气随载气流入气相沉积系统，生长出化合物半导体薄膜材料。

7.按权利要求6所述的一种封装固体高纯金属有机化合物的容器在金属有机化学气相沉积过程中的应用，其特征在于：步骤③采用具有精密温控并可调制到要求使用温度的冷阱进行控温。

8.按权利要求6或7所述的一种封装固体高纯金属有机化合物的容器在金属有机化学气相沉积过程中的应用，其特征在于：所述固体金属有机化合物[12]的纯度大于或等于99.999％。

9.按权利要求8所述的一种封装固体高纯金属有机化合物的容器在金属有机化学气相沉积过程中的应用，其特征在于：所述固体金属有机化合物为三甲基铟或二茂基镁。

10.按权利要求6或7所述的一种封装固体高纯金属有机化合物的容器在金属有机化学气相沉积过程中的应用，其特征在于：所述载气是氢气、氮气、氩气或氦气。