[发明专利]增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法有效
| 申请号： | 200710130914.X | 申请日： | 2007-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101118858A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 张景超;刘利峰;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 | 代理人： | 贾海芬 |
| 地址： | 213022江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增加 mos 控制 晶体管 密度 制作方法 | ||
1.一种增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法，其特征在于；按以下步骤进行，
(1)、栅氧化：将清洁处理后的硅片进行栅氧化形成栅氧化层，栅氧化层厚度在
(2)、多晶硅淀积：在栅氧化层上淀积多晶硅层，多晶硅层厚度控制在
(3)、离子掺杂：对多晶硅层进行掺杂形成导电层；
(4)、形成第一层绝缘介质层：在掺杂后的多晶硅层表面形成第一层绝缘介质层，第一层绝缘介质层的厚度控制在
(5)、光刻：光刻和刻蚀第一层绝缘介质层和多晶硅层，形成窗口，窗口宽度控制在1.2μm～4μm；
(6)、第一杂质离子注入和扩散：将第一种杂质离子注入窗口内，在1000℃～1250℃温度下扩散形成第一杂质层；
(7)、第二杂质离子注入和扩散：将第二种杂质离子注入窗口内，在900℃～1100℃温度下扩散形成第二杂质层扩散形成第二杂质层，且该第二种杂质离子的类型与第一种杂质离子类型不同；
(8)、第二层绝缘介质层的淀积和回流：在硅片表面淀积第二层绝缘介质层，第二层绝缘介质层的厚度控制在然后进行回流处理；
(9)、第二层绝缘介质层刻蚀：各向异性刻蚀第二层绝缘介质层，形成第二层绝缘介质侧壁层；
(10)、源区硅刻蚀：刻蚀第二杂质层形成源极孔或发射极孔，且源极孔或发射极孔的深度超过第二种杂质层；
(11)、金属层淀积：对硅片溅射或蒸发金属层形成电极。
2.根据权利要求1所述的增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法，其特征在于：所述的第一层绝缘介质层是将硅片放入高温炉内，在950℃～1150℃下氧化形成氧化层，氧化层厚度在
3.根据权利要求1所述的增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法，其特征在于：所述的第一层绝缘介质层是先将硅片放入高温炉内，在950℃～1150℃下氧化形成氧化层，在此氧化层上面淀积绝缘层，氧化层的厚度在绝缘层的厚度在
4.根据权利要求1所述的增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法，其特征在于：所述栅氧化层的厚度在
5.根据权利要求1所述的增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法，其特征在于：所述多晶硅层的厚度在
6.根据权利要求1所述的增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法，其特征在于：所述第二层绝缘介质层的厚度在
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
