[发明专利]射频发射电路中大功率MOSFET管的安全保护方法及其电路有效
| 申请号： | 200710130909.9 | 申请日： | 2007-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101141115A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 朱自付 | 申请（专利权）人： | 熊猫电子集团有限公司;南京熊猫电子股份有限公司;南京熊猫汉达科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52;H03F3/21 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210002江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 发射 电路 大功率 mosfet 安全 保护 方法 及其 | ||
1.一种射频发射电路中大功率MOSFET管的安全保护方法，其特征是射频发射电路中，设置输入传输线变压器(T1)，其次级端为高阻，输出端与MOSFET管的输入高阻抗相匹配，设有电感(L1)、电阻(R3)和电感(L2)、电阻(R4)构成负反馈单元，MOSFET管的输出接输出传输线变压器(T2)，尤其是在传输线变压器(T2)的输出端串联开关二极管(D1、D2)。
2.根据权利要求1所述的射频发射电路中大功率MOSFET管的安全保护方法，其特征是MOSFET管的漏极与地之间串联连接2-10只二极管(D3-D8)。
3.根据权利要求2所述的射频发射电路中大功率MOSFET管的安全保护方法，其特征是MOSFET管的漏极与地之间串联6只二极管。
4.射频发射电路中大功率MOSFET管的安全保护电路，其特征是射频发射电路中，设置输入传输线变压器(T1)，其次级端为高阻，输出端与MOSFET管的输入高阻抗相匹配，设有电感(L1)、电阻(R3)、电感(L2)和电阻(R4)构成负反馈单元，MOSFET管的输出接输出传输线变压器(T2)，在传输线变压器(T2)的输出端串联开关二极管(D1、D2)，MOSFET管的漏极与地之间串联连接2-10只二极管(D3-D8)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于熊猫电子集团有限公司;南京熊猫电子股份有限公司;南京熊猫汉达科技有限公司，未经熊猫电子集团有限公司;南京熊猫电子股份有限公司;南京熊猫汉达科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710130909.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：移动式可调节循环流化床锅炉床料机
- 下一篇：核系统装卸料机专用水下灯
