[发明专利]能够产生负离子的粉体材料及其制备方法有效
| 申请号: | 200710130864.5 | 申请日: | 2007-08-21 |
| 公开(公告)号: | CN101148353A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
| 发明(设计)人: | 许宇峰 | 申请(专利权)人: | 常州众博复合材料有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/16 | 分类号: | C04B35/16;C04B35/50;C04B35/626 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 213000江苏省常州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 能够 产生 负离子 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种能够产生负离子的粉体材料,其特征在于由以下重量百分比的成分组成:电气石材料20~70%,混合稀土材料或者氧化稀土材料20~60%,半导体催化材料5~20%,辅助激发材料4~15%。
2.根据权利要求1所述的能够产生负离子的粉体材料,其特征在于:所述电气石材料的粒径分布为100~600nm,其余材料的粒径分布均小于1μm。
3.根据权利要求1所述的能够产生负离子的粉体材料,其特征在于:所述电气石材料为锰电气石、锂电气石、镁电气石以及铁电气石中的一种或者两种。
4.根据权利要求1所述的能够产生负离子的粉体材料,其特征在于:所述混合稀土材料为磷酸铈、磷酸镧、磷酸铌以及磷酸铽中的一种或者两种。
5.根据权利要求1所述的能够产生负离子的粉体材料,其特征在于:所述氧化稀土材料为氧化铈、氧化镧、氧化铌以及氧化铒中的一种或者两种。
6.根据权利要求1所述的能够产生负离子的粉体材料,其特征在于:所述半导体催化材料为二氧化钛、氧化锌、氧化银、五氧化二钒、三氧化二硼以及氧化锡中的一种或者两种。
7.根据权利要求1所述的能够产生负离子的粉体材料,其特征在于:所述辅助激发材料为蛋白石、奇冰石、白碳黑、磁性氧化铁以及石榴石中的一种或者两种。
8.一种权利要求1至7之一所述的能够产生负离子的粉体材料的制备方法,其特征在于具有以下步骤:
①将电气石材料粉碎至100~500目,并在400~600℃下焙烧0.5~2h;
②将步骤①焙烧后的电气石材料加入研磨设备中进行超细粉碎,直至粒径分布为100~600nm;
③研磨即将结束时,加入表面处理剂进行表面处理;
④将混合稀土材料或者氧化稀土材料、半导体催化材料以及辅助激发材料研磨至粒径分布小于1μm;
⑤将步骤③和步骤④的材料按配比投入到高速分散机中分散,过筛,干燥即得。
9.根据权利要求8所述的能够产生负离子的粉体材料的制备方法,其特征在于:步骤②中所述的电气石材料的粒径分布为200~400nm。
10.根据权利要求8所述的能够产生负离子的粉体材料的制备方法,其特征在于:步骤③中所述的表面处理剂为氧化亚锡、草酸、六偏磷酸钠以及聚丙烯酸中的一种或者两种。
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