[发明专利]场发射元件及其电极结构无效

专利信息
申请号: 200710130599.0 申请日: 2007-07-18
公开(公告)号: CN101350275A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: 蔡五湖;杨宗翰;吴炘儒 申请(专利权)人: 大同股份有限公司
主分类号: H01J1/304 分类号: H01J1/304;H01J29/04;H01J29/02;H01J1/46;H01J31/12;H01J63/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周长兴
地址: 台湾省台北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发射 元件 及其 电极 结构
【权利要求书】:

1.一种场发射元件的电极结构,包括:

一起始部,包括一具有电阻值的连接段;以及

多个延伸部,连接该起始部;

其中,该多个延伸部是圆弧形或圆形;该具有电阻值的连接段是介于该多个延伸部之间,以使其所连接的该多个延伸部的电位相似。

2.如权利要求1所述的场发射元件的电极结构,其中,该起始部是长条形。

3.如权利要求1所述的场发射元件的电极结构,其中,该电极结构是形成于一表面。

4.如权利要求3所述的场发射元件的电极结构,其中,该表面是平面或曲面的表面。

5.如权利要求1所述的场发射元件的电极结构,其中,该电极结构包括至少一电子源或至少一栅极。

6.一种场发射元件,包括:

一阳极;以及

一阴极,是对应该阳极设置,该阴极包括一起始部及多个延伸部,该起始部包括一具有电阻值的连接段,该多个延伸部是连接该起始部,该具有电阻值的连接段是介于该多个延伸部之间,以使其所连接的该多个延伸部的电位相似,该多个延伸部是圆弧形或圆形。

7.如权利要求6所述的场发射元件,其中,还包括一栅极,该栅极设置于该阴极的周缘。

8.如权利要求7所述的场发射元件,其中,该栅极包括一起始部及至少一延伸部,该延伸部是连接该起始部,且其是弯曲形状。

9.如权利要求8所述的场发射元件,其中,该栅极的该起始部是长条形。

10.如权利要求8所述的场发射元件,其中,该栅极的该延伸部是圆弧形、圆形或螺旋形。

11.如权利要求8所述的场发射元件,其中,该栅极的该延伸部的个数是多个。

12.如权利要求6所述的场发射元件,其中,该起始部是长条形。

13.如权利要求6所述的场发射元件,其中,还包括一基板,该阴极是设置在该基板表面上。

14.如权利要求13所述的场发射元件,其中,该表面是平面或曲面的表面。

15.如权利要求6所述的场发射元件,其中,该阳极包括一荧光物质。

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