[发明专利]以CVD及HVPE成长氮化镓的方法无效
| 申请号： | 200710130162.7 | 申请日： | 2007-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101353818A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 周明奇;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 周明奇;中美硅晶制品股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/18 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 何为 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cvd hvpe 成长 氮化 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种以CVD及HVPE成长氮化镓的方法，采用一二段式反应炉，其特征在于：该方法至少包括下列步骤：
a、取一铝酸锂基板；
b、将该铝酸锂基板送入该反应炉中，且将一镓金属加进一可移动的晶舟中，在高温下通入至少一气体，利用该反应炉进行化学气相沉积法，以在该铝酸锂基板上沉积形成一具奈米结构的氮化镓；以及
c、利用该反应炉，以该具奈米结构的氮化镓为新成核点，对该铝酸锂基板进行氢化物气相磊晶法，调整一温度及该气体的流速以成长一厚膜的氮化镓。
2、根据权利要求1所述的以CVD及HVPE成长氮化镓的方法，其特征在于：所述基板进一步为蓝宝石、镓酸锂、硅酸锂、锗酸锂、铝酸钠、锗酸钠、硅酸钠、磷酸锂、砷酸锂、钒酸锂、锗酸锂镁、锗酸锂锌、锗酸锂镉、硅酸锂镁、硅酸锂锌、硅酸锂镉、锗酸钠镁、锗酸钠锌或硅酸钠锌基板。
3、根据权利要求1所述的以CVD及HVPE成长氮化镓的方法，其特征在于：所述具奈米结构的氮化镓为一氮化镓奈米柱。
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