[发明专利]背对背硅控整流电路的换向失败侦测电路及其控制方法有效
申请号: | 200710129864.3 | 申请日: | 2007-07-27 |
公开(公告)号: | CN101355314A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 狄拉斯·辛·凯纳 | 申请(专利权)人: | 泰达国际控股有限公司 |
主分类号: | H02M7/21 | 分类号: | H02M7/21;H02M7/155;H01L29/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 许志勇;霍育栋 |
地址: | 英国开曼群岛大开*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背对背 整流 电路 换向 失败 侦测 及其 控制 方法 | ||
1.一种用于一背对背硅控整流电路的换向失败侦测电路,包含:
一第一侦测讯号产生器,耦合于该背对背硅控整流电路,用以在一交流输入电压的一负半周时侦测一换向,包括:
一第一不导通讯号放大器电路,当该背对背硅控整流电路在该交流输入电压的该负半周时未导通,则产生一第一不导通讯号;
一第一不导通讯号驱动器,接收及转移该第一不导通讯号;以及
一第一不导通讯号隔离器,接收该经转移的第一不导通讯号,当该第一不导通讯号不存在时,用以产生具一第一状态的一第一换向侦测讯号;以及
一第二侦测讯号产生器,耦合于该背对背硅控整流电路,用以在该交流输入电压的一正半周时侦测该换向,包括:
一第二不导通讯号放大器电路,当该背对背硅控整流电路在该交流输入电压的该正半周时未导通,则产生一第二不导通讯号;
一第二不导通讯号驱动器,接收及转移该第二不导通讯号;以及
一第二不导通讯号隔离器,接收该经转移的第二不导通讯号,当该第二不导通讯号不存在时,用以产生具该第一状态的一第二换向侦测讯号。
2.如权利要求1所述的侦测电路,更包括一输出节点,耦合于该第一及该第二不导通讯号隔离器,用以输出该第一或该第二换向侦测讯号,其中当该第一不导通讯号存在时,该第一换向侦测讯号处于一第二状态,且当该第二不导通讯号存在时,该第二换向侦测讯号处于该第二状态,其中该第一与该第二状态分别为一逻辑高与一逻辑低状态,每一该第一及该第二不导通讯号隔离器包括:
一光电耦合器,具二输入端、一输出端以及一接地端,其中该二输入端分别用于接收一直流电源电压及接收与传送该经转移的第一或该经转移的第二不导通讯号,该输出端用以输出该经传送及转移的第一或该经传送及转移的第二不导通讯号;以及
一第一电阻,具一第一端与一第二端,其中该第一端耦合于该输出端,用以接收该经传送及转移的第一或该经传送及转移的第二不导通讯号,并耦合于该输出节点,用以产生该第一或该第二换向侦测讯号,且该第二端分别用于接收该直流电源电压,以藉由该接地端形成一导电通路,以输出具该逻辑高状态的该第一或该第二换向侦测讯号,与形成具该逻辑低状态的该第一或该第二换向侦测讯号。
3.如权利要求1所述的侦测电路,其中该背对背硅控整流电路包括一第一及一第二硅控整流器,各自具有一阴极,该第一不导通讯号放大器电路耦合于该第一硅控整流器的该阴极,该第二不导通讯号放大器电路耦合于该第二硅控整流器的该阴极,且每一该第一与该第二不导通讯号放大器电路包括:
一讯号偏压电阻,具一第一端,耦合于一直流电源电压,用以形成一不导通讯号偏压,以及一第二端;
一侦测电流限制电阻,具一第一端,耦合于该讯号偏压电阻的该第二端,用以限制一流经该侦测电流限制电阻的侦测电流,以及一第二端;
一逆向阻隔二极管,具一阳极,耦合于该侦测电流限制电阻的该第二端,以及一阴极耦合于该第一或该第二硅控整流器的所述阴极,用以防止一逆向电压;以及
一讯号放大器,放大该第一或该第二不导通讯号,包括:
一第一级,包括:
一第一晶体管,具一第一端、一第二端与一控制端,其中该第一端耦合于该逆向阻隔二极管的该阳极;以及
一第一电阻,具一第一端与一第二端,其中该第一端耦合于该第一晶体管的该控制端,且该第二端耦合于该第一或该第二硅控整流器的所述阴极;以及
一第二级,包括:
一第二晶体管,具一第一端、一第二端与一控制端,其中该第一端耦合于该第一电阻的该第二端与一接地,且该第二端耦合于该侦测电流限制电阻的该第一端;以及
一第二电阻,具一第一端与一第二端,其中该第一端耦合于该第二晶体管的该控制端,且该第二端耦合于该第一晶体管的该第二端。
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