[发明专利]具有增强的薄膜半导体层的柔性显示装置及其制造方法

权利要求书

1、一种制造方法，包括：

通过化学气相沉积工艺在塑料基板之上沉积非晶硅层；以及

使至少非晶硅层的区域经受快速热处理从而加强大部分剩余的氢和/或其它不希望有的元素的移除，同时不实质上不利地影响塑料基板。

2、如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在沉积所述非晶硅层之前在所述塑料基板上形成阻挡层，其中所述阻挡层基本不能渗透预定一种或更多种气体或蒸汽。

3、如权利要求2所述的方法，其中该阻挡层包括氮氧化硅Si_xO_yN_z，x、y和z是预定的数。

4、如权利要求1所述的方法，其中所述化学气相沉积在不高于180℃下执行。

5、如权利要求1所述的方法，其中通过在从室温到约180℃至约300℃高温的温度范围下，用烘箱加热约1分钟至约5分钟来执行所述快速热处理。

6、如权利要求1所述的方法，其中通过约0.5℃/秒至约20℃/秒的升温以及约0.5℃/分至约10℃/分的降温来执行所述快速热处理。

7、如权利要求6所述的方法，其中通过约1.5℃/秒至约3℃/秒的升温以及约1.5℃/秒至约3℃/秒的降温来执行所述快速热处理。

8、如权利要求1所述的方法，其中在使用氙灯或卤素灯预先加热到约500℃至约800℃的任何空间中，执行所述快速热处理几秒至几十秒。

9、如权利要求8所述的方法，其中通过使具有所述非晶硅层的所述塑料基板经过使用氙灯或卤素灯预先加热到约500℃至约800℃的任何空间几秒至几十秒来执行所述快速热处理。

10、如权利要求1所述的方法，其中通过使具有所述非晶硅层的所述塑料基板经受具有约280nm至约320nm的波长和大约190mJ/cm²至约240mJ/cm²的能量密度的激光束来执行所述快速热处理。

11、如权利要求3所述的方法，其中该阻挡层具有约0.35至约0.85的氧与其它非硅元素的浓度比。

12、如权利要求3所述的方法，进一步包括：

在所述塑料基板和所述阻挡层之间形成缓冲层。

13、如权利要求3所述的方法，其中所述塑料基板具有约100μm至约300μm的厚度。

14、如权利要求3所述的方法，其中所述阻挡层具有约10nm至约30nm的厚度。

15、如权利要求3所述的方法，其中使用包含Si₃N₄的靶通过射频RF溅射形成所述阻挡层。

16、如权利要求15所述的方法，其中所述射频溅射在约10MHz至约15MHz的射频下执行。

17、如权利要求15所述的方法，其中使用氧气O₂和氩气(Ar)作为反应气体来执行所述射频溅射。

18、如权利要求15所述的方法，其中在约100℃或100℃以下的温度下执行所述射频溅射。

19、一种制造方法，包括：

在虚设玻璃基板上固定塑料基板；

通过射频溅射在所述塑料基板上形成阻挡层；

通过化学气相沉积在所述阻挡层上沉积非晶硅层；以及

使所述非晶硅层经受快速热处理，

其中在约90℃至约180℃执行所述化学气相沉积，并且在约150℃至约800℃执行所述快速热处理。

20、如权利要求19所述的方法，其中在约90℃至约130℃执行所述化学气相沉积，并且在约200℃至约500℃执行所述快速热处理。

21、如权利要求20所述的方法，其中所述阻挡层包括氮氧化硅SiON并且所述阻挡层具有约0.35至约0.85的O/(N+O)元素浓度比。

22、如权利要求1所述的方法，其中所述化学沉积工艺是倾向于将仍与所述非晶硅层的硅原子结合的大部分氢原子或者其它不需要的元素留下的工艺。