[发明专利]只读存储器数据修补电路和方法、及其嵌入式系统

权利要求书

1.一种只读存储器ROM数据修补电路，用于基于修补信息利用N个随机存取存储器RAM修补块中存储的修补数据来替换N个修改ROM数据块中存储的ROM数据，N为自然数，该ROM数据修补电路包括：

数据修补检测单元，被配置为生成N个偏移选择信号和地址选择信号，所述N个偏移选择信号指明ROM读取地址属于N个修改ROM数据块中的哪一个，该地址选择信号表示ROM读取地址是否属于N个修改ROM数据块中的任意一个；

RAM地址生成单元，被配置为基于偏移选择信号而生成与该ROM读取地址对应的RAM读取地址；以及

地址选择单元，被配置为基于地址选择信号输出ROM读取地址和RAM读取地址之一，

其中所述修补信息包括所述N个修改ROM数据块的N个起始地址、N个数据块长度、N个偏移量以及用于控制修补操作的修补使能信号，所述N个偏移量中的每个表示修改ROM数据块地址与对应的RAM修补块地址之间的差值；

其中，当ROM读取地址属于N个修改ROM数据块中的任意一个而且修补使能信号为逻辑高时，所述地址选择信号为逻辑高；当ROM读取地址不属于N个修改ROM数据块中的任意一个或者修补使能信号为逻辑低时，所述地址选择信号为逻辑低；以及

其中，当地址选择信号为逻辑低时，所述地址选择单元被配置为输出ROM读取地址，而当地址选择信号为逻辑高时，所述地址选择单元被配置为输出RAM读取地址。

2.如权利要求1所述的ROM数据修补电路，其中所述数据修补检测单元包括：

N个比较器单元，被配置为用来分别生成偏移选择信号，当ROM读取地址属于对应的修改ROM数据块时，该偏移选择信号为逻辑高，而当ROM读取地址不属于对应的修改ROM数据块时，该偏移选择信号为逻辑低；

或门，被配置为对所述N个比较器单元生成的所述N个偏移选择信号执行或操作；以及

第一与门，被配置为对该或门的输出信号和该修补使能信号执行与操作，以生成该地址选择信号。

3.如权利要求2所述的ROM数据修补电路，其中所述N个比较器单元中的第K比较器单元，K为自然数，包括：

下限比较器，被配置为当ROM读取地址不小于N个起始地址中的第K起始地址时，输出逻辑高的第一信号；

加法器，被配置为输出第K起始地址和N个数据块长度中的第K数据块长度之和；

上限比较器，被配置为当ROM读取地址不大于加法器的输出时，输出为逻辑高的第二信号；以及

第二与门，被配置为对该第一信号与该第二信号执行与操作，以生成N个偏移选择信号中的第K偏移选择信号。

4.如权利要求1所述的ROM数据修补电路，其中所述RAM地址生成单元包括：

偏移选择器，被配置为基于所述N个偏移选择信号而输出该N个偏移量中的、与ROM读取地址所属的修改ROM数据块对应的偏移量；以及

偏移加法器，被配置为通过将ROM读取地址与从偏移选择器输出的偏移量相加，而输出RAM读取地址。

5.如权利要求1所述的ROM数据修补电路，其中当该修补使能信号为逻辑低时，所述地址选择单元被配置为选择并输出ROM读取地址，而不考虑该ROM读取地址是否属于N个修改ROM数据块中的任意一个。

6.如权利要求1所述的ROM数据修补电路，其中所述地址选择单元包括多路复用器，该多路复用器被配置为基于地址选择信号而输出ROM读取地址和RAM读取地址之一。

7.如权利要求1所述的ROM数据修补电路，进一步包括用于存储该修补信息的寄存器。