[发明专利]淀积装置

说明书

技术领域

【0001】本发明涉及用于生产有机电致发光部件的淀积装置。

背景技术

【0002】在有机电致发光部件中，通常，空穴输送层，发光层，电子输送层等在透明导电薄膜(例如氧化铟锡)制造的正电极和金属(例如Al)制造的负电极之间形成为有机薄膜层。从正电极侧注入的空穴和从负电极侧注入的电子分别通过空穴输送层和电子注入层在发光层中重新结合，由此获得光发射。

【0003】作为生产有机电致发光部件的方法，真空淀积方法是已知的。将有机电致发光材料放置在坩锅中，并且将坩锅等的温度升高到真空装置中的淀积材料的蒸发温度或以上。结果，从坩锅蒸发的淀积材料淀积在要成为有机电致发光部件的基部的衬底上以形成有机薄膜层。为了增强有机电致发光部件的生产率，淀积材料的淀积速率非常重要。如果淀积材料的淀积速率高，则薄膜淀积时间被缩短以增强生产率。为了增强淀积速率，可以利用包括使用于淀积源的开口接近衬底的方法，包括升高淀积材料的加热温度以增加淀积速率的方法，等等。

【0004】然而，当使用于淀积源的开口接近衬底时，会出现问题，例如从淀积源辐射的热所导致的对掩膜等的热影响，以及薄膜厚度的非均匀性。在使用高精度掩膜，特别是用于发光层的分割涂层的情况下对掩膜的热影响导致问题。薄膜厚度的非均匀性对有机电致发光部件的特性具有很大影响，因此有机淀积薄膜应当在衬底的薄膜淀积面上形成有均匀的薄膜厚度。

【0005】此外，当淀积材料的加热温度升高时，在一些情况下会出现有机电致发光材料分解的问题。有机电致发光材料的分解对有机电致发光部件的特性具有很大影响，这直接导致产量的减少。如上所述，为了增强有机电致发光部件的生产率，应当解决诸如有机电致发光材料分解和热影响这样的问题。也可以增加真空淀积装置的数量以增加待处理的衬底的数量，由此提高生产率。然而，这需要很大的装置占地面积，这在投资成本方面是不理想的。

【0006】与有机电致发光材料的这种真空淀积方法有关，例如在已公开的日本专利申请No.2004-241319中，通过将衬底分布到两个淀积室中来形成薄膜的方法是已知的。根据该方法，尽管增强了生产率，但是装置占地面积增加。因而，需要减小装置占地面积和增强生产率。

发明内容

【0007】鉴于上述传统技术的未解决问题提出了本发明，并且提供了一种淀积装置，其能够增加用于有机淀积薄膜淀积的要处理衬底的数量，从而防止装置占地面积增加，并保证薄膜厚度分布。

【0008】根据本发明的一种淀积装置包括：室；保持单元，其放置在所述室中以用于将多个薄膜淀积对象保持在相互不同的平面中；淀积源，其用于储存要淀积在所述多个薄膜淀积对象上的淀积材料；和流动单元，其连接到所述淀积源以用于将蒸发的淀积材料引导到保持在相互不同的平面中的所述多个薄膜淀积对象。

【0009】通过经由流动单元在室中的面对不同方向的多个薄膜淀积对象上同时形成有机淀积薄膜，要处理的衬底的数量增加以增强有机电致发光部件的生产率。

【0010】将从参考附图的典型实施例的以下描述中，本发明的进一步特征将变得显而易见。

附图说明

【0011】图1是示出根据例1的淀积装置的示意图。

【0012】图2是示出根据例2的淀积装置的示意图。

【0013】图3是示出例1的一个改进例子的示意图。

【0014】图4是示出例1的另一个改进例子的示意图。

【0015】图5是示出例1中薄膜淀积面的薄膜厚度分布的图形。

【0016】图6是示出根据一个传统例子的淀积装置的示意图。

具体实施方式

【0017】将参考附图描述实施本发明的最佳模式。

【0018】如图1中所示，淀积源10包括坩锅11、用于加热坩锅11等的加热器12、盖子13和反射器14。将有机电致发光材料1装填到坩锅11中，蒸汽经由连接到盖子13的第一管道(连接管)21从分支于第一管道21的第二管道(支管)22a、22b释放。

【0019】从淀积源10产生的蒸汽由包括第一管道21和第二管道22a、22b的流动单元沿彼此不同的方向分支释放，并且分别经由掩膜32a、32b在衬底31a、31b上形成有机淀积薄膜。