[发明专利]成膜装置及成膜方法有效

专利信息
申请号: 200710128733.3 申请日: 2007-07-12
公开(公告)号: CN101104920A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 太田英伸;寺泽寿浩;清水三郎;佐佐木德康;半泽幸一;松元孝文 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社;爱发科股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/54
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种成膜装置,其通过溅射,使从靶释放的粒子与衬底倾斜冲撞,在该衬底上形成膜,其中,具有:

第一遮蔽部,其遮蔽入射到所述衬底的成膜面上的粒子的一部分;

第一透过部,其形成于所述第一遮蔽部上,使所述粒子通过;

移动装置,其使所述衬底和所述第一透过部在横截所述第一透过部的长轴的方向上相对移动,

所述第一透过部在接近所述靶的一侧宽度窄,在远离所述靶的一侧宽度宽。

2.如权利要求1所述的成膜装置,其中,

所述第一透过部至少具有与向所述衬底的所述成膜面的入射区域相似的形状。

3.如权利要求1所述的成膜装置,其中,

所述第一透过部具有沿着离开所述靶的方向逐渐扩大的宽度。

4.如权利要求1所述的成膜装置,其中,

连结所述靶和所述衬底的线段和所述衬底的所述成膜面所成的角度在15°以下。

5.如权利要求1所述的成膜装置,其中,

连结所述靶和所述衬底的线段和所述衬底的成膜面所成的角度在10°以下。

6.如权利要求4或5所述的成膜装置,其中,

所述线段和所述成膜面所成的角度在1°以上。

7.如权利要求4或5所述的成膜装置,其中,

所述线段和所述成膜面所成的角度在3°以上。

8.如权利要求1所述的成膜装置,其中,还具有:

第二遮蔽部,其配置在所述第一遮蔽部和所述靶之间,控制所述粒子的入射角度;

第二透过部,其形成于所述第二遮蔽部上,使向所述衬底的入射角度在15°以下的所述粒子通过。

9.如权利要求8所述的成膜装置,其中,

所述第一透过部使如下的所述粒子通过,所述粒子是从所述入射角度的最大值减去最小值而得的值即预测入射角度在10°以下的所述粒子。

10.一种成膜方法,其通过溅射,使从靶释放的粒子与衬底倾斜冲撞,在该衬底上形成膜,其中,

在所述靶和所述衬底之间的位置配置第一遮蔽部,所述第一遮蔽部具有第一透过部,所述第一透过部在接近所述靶的一侧宽度窄,在远离所述靶的一侧宽度宽,

使所述衬底和所述第一透过部在横截所述第一透过部的长轴的方向上相对移动。

11.如权利要求10所述的成膜方法,其中,

使来自所述靶的粒子入射到所述衬底时的最大入射角度在15°以下。

12.如权利要求10所述的成膜方法,其中,

使来自所述靶的粒子入射到所述衬底时的最大入射角度在10°以下。

13.如权利要求11或12所述的成膜方法,其中,

使所述最大入射角度在1°以上。

14.如权利要求11或12所述的成膜方法,其中,

使所述最大入射角度在3°以上。

15.如权利要求10所述的成膜方法,其中,

从所述最大入射角度减去所述溅射粒子入射到所述衬底时的最小入射角度而得的值即预测入射角度在10°以下。

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