[发明专利]光致抗蚀剂层的重工方法与图案化工艺

权利要求书

1.一种光致抗蚀剂层的重工方法，包括：

提供材料层；

于该材料层上依序形成保护层、第一硬掩模层与第一图案化光致抗蚀剂层，其中该保护层与该第一硬掩模层具有不同的蚀刻选择性；

移除该第一图案化光致抗蚀剂层；

移除该第一硬掩模层至暴露出该保护层；以及

于该材料层上依序形成第二硬掩模层与第二图案化光致抗蚀剂层。

2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的重工方法，其中该保护层包括氮化硅层。

3.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的重工方法，其中该保护层的厚度介于至

4.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的重工方法，其中该第一硬掩模层的形成方法包括：

于该材料层上形成非晶碳层；以及

于该材料层上形成多层反射层。

5.如权利要求4所述的光致抗蚀剂层的重工方法，其中该多层反射层包括氮氧化硅/氧化硅所组成的复合层。

6.如权利要求4所述的光致抗蚀剂层的重工方法，其中该第一硬掩模层的移除方法包括进行干式蚀刻工艺，以移除该非晶碳层与该多层反射层。

7.如权利要求6所述的光致抗蚀剂层的重工方法，其中该干式蚀刻工艺所使用的气体源包括四氟化碳。

8.如权利要求4所述的光致抗蚀剂层的重工方法，其中该第一硬掩模层的移除方法包括进行湿式蚀刻工艺，以移除该多层反射层。

9.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的重工方法，还包括在该第一硬掩模层形成之后及该第一图案化光致抗蚀剂层形成之前，在该材料层上形成抗反射层。

10.如权利要求1所述的光致抗蚀剂层的重工方法，其中该材料层包括氧化硅层。

11.一种图案化工艺，包括：

提供材料层，该材料层中已形成有对准标记；

于该材料层上依序形成保护层、第一硬掩模层与第一图案化光致抗蚀剂层，该保护层与该第一硬掩模层具有不同的蚀刻选择性；

进行显影后检视步骤；

移除该第一图案化光致抗蚀剂层；

移除该第一硬掩模层至暴露出该保护层；

于该材料层上依序形成第二硬掩模层与第二图案化光致抗蚀剂层；

图案化该第二硬掩模层；

移除该第二图案化光致抗蚀剂层；以及

以该第二硬掩模层为掩模，移除部份该材料层，以形成开口。

12.如权利要求11所述的图案化工艺，其中该保护层与该材料层具有不同的蚀刻选择性。

13.如权利要求12所述的图案化工艺，其中该保护层包括氮化硅层。

14.如权利要求13所述的图案化工艺，其中该保护层的厚度介于至

15.如权利要求13所述的图案化工艺，其中该第一硬掩模层的材料包括非晶碳、氮氧化硅及氧化硅。

16.如权利要求11所述的图案化工艺，还包括在形成该开口之后，移除该保护层。

17.如权利要求11所述的图案化工艺，还包括在该第一硬掩模层形成之后及该第一图案化光致抗蚀剂层形成之前，在该材料层上形成抗反射层。

18.如权利要求11所述的图案化工艺，其中该材料层包括硅基底、介电层及导体层。