[发明专利]光掩模检测方法与在线即时光掩模检测方法

权利要求书

1.一种光掩模检测方法，适用于光掩模，其中该光掩模具有图案区与空白区，该方法包括：

提供晶片，该晶片以该光掩模进行光刻工艺，其中该晶片上有多个曝光区，每一该曝光区中有元件图案区，每一这些元件图案区被切割道区包围，且每一这些元件图案区对应于该光掩模的该图案区，而该切割道区对应于该光掩模的该空白区；

将该切割道区划分成多个大小相同的虚拟图案区；以及

将这些虚拟图案区进行两两重叠比较步骤，其中当这些虚拟图案区至少其中之一与其他这些虚拟图案区不完全相叠合，则该不完全叠合的虚拟图案区相对应的该光掩模上的部分该空白区具有光掩模黑影。

2.如权利要求1所述的光掩模检测方法，其中该光掩模黑影包括硫酸铵颗粒。

3.如权利要求1所述的光掩模检测方法，其中该光掩模黑影包括清洗该光掩模之后的残留颗粒。

4.如权利要求1所述的光掩模检测方法，其中该光掩模黑影包括化学生成物。

5.如权利要求1所述的光掩模检测方法，其中该两两重叠比较步骤还包括重叠比较两相邻的这些虚拟图案区。

6.如权利要求1所述的光掩模检测方法，其中当筛选出该不完全叠合的虚拟图案区时，该两两重叠比较步骤还包括进行重复比较步骤；

其中该重复比较步骤包括重叠比较两个这些曝光区中这些切割道区彼此相对应的虚拟图案区。

7.如权利要求6所述的光掩模检测方法，其中重叠比较两个这些曝光区时，当第一曝光区的不完全叠合的第一虚拟图案与第二曝光区中相对应于不完全叠合的该第一虚拟图案的第二虚拟图案完全叠合时，则定义该光掩模上相对应于该第一虚拟图案的部分该空白区上，有该光掩模黑影。

8.一种在线即时光掩模检测方法，适用于以光掩模于多片晶片上进行光刻工艺，其中该光掩模具有图案区与空白区，该方法包括：

设定抽样检测机制，其中该抽样检测机制包括抽样循环时间与光刻工艺完成晶片片数；

当以该光掩模于这些晶片上进行该光刻工艺的连续工艺时间与工艺次数满足该抽样循环时间或是该光刻工艺完成晶片片数其中之一时，则进行抽样检测步骤，该步骤包括：

于完成该光刻工艺的这些晶片中，抽样第一晶片，该第一晶片有多个曝光区，每一这些曝光区中有元件图案区，每一这些元件图案区被切割道区包围，且每一这些元件图案区对应于该光掩模的该图案区，而该切割道区对应于该光掩模的该空白区；

将该切割道区划分成多个大小相同的虚拟图案区；以及

将这些虚拟图案区进行两两重叠比较步骤，其中当这些虚拟图案区至少其中之一与其他这些虚拟图案区不完全相叠合，则该不完全叠合的虚拟图案区相对应的该光掩模上的部分该空白区具有光掩模黑影；

当该连续工艺时间不满足该抽样循环时间且该工艺次数不满足该光刻工艺完成晶片片数时，则继续进行该光刻工艺。

9.如权利要求8所述的在线即时光掩模检测方法，其中该光掩模黑影包括硫酸铵颗粒。

10.如权利要求8所述的在线即时光掩模检测方法，其中该光掩模黑影包括清洗该光掩模之后的残留颗粒。

11.如权利要求8所述的在线即时光掩模检测方法，其中该光掩模黑影包括化学生成物。

12.如权利要求8所述的在线即时光掩模检测方法，其中该两两重叠比较步骤还包括重叠比较两相邻的这些虚拟图案区。

13.如权利要求8所述的在线即时光掩模检测方法，其中当筛选出该不完全叠合的虚拟图案区时，该两两重叠比较步骤还包括进行重复比较步骤；

其中该重复比较步骤包括重叠比较两个这些曝光区中这些切割道区彼此相对应的虚拟图案区。

14.如权利要求13所述的在线即时光掩模检测方法，其中重叠比较两个这些曝光区时，当第一曝光区的不完全叠合的第一虚拟图案与第二曝光区中相对应于不完全叠合的该第一虚拟图案的第二虚拟图案完全叠合时，则定义该光掩模上相对应于该第一虚拟图案的部分该空白区上，有该光掩模黑影。