[发明专利]高温电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710128289.5 | 申请日： | 2007-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101067986A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | P·C·欧文;Y·曹;Q·谭;A·尤恩西 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/14;H01G13/00;C23C14/24;C23C14/34;C23C16/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲;韦欣华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高温 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造电容器(10)的方法，包括：
通过改变分子结构，等离子体处理聚醚酰亚胺膜(22)的表面(24)；
金属化该表面(24)；
在该聚醚酰亚胺膜上设置电极(20)；以及
封装该电容器(10)；
其中
聚醚酰亚胺膜(22)具有在300-700kV/mm之间的范围内的击穿电压， 且
所述聚醚酰亚胺膜(22)包含纳米填充物。
2.权利要求1的方法，所述等离子体处理包括化学气相沉积工艺。
3.权利要求1的方法，所述等离子体处理包括在氟化的气氛中等离子 体处理或氩等离子体处理。
4.权利要求1的方法，所述金属化包括聚醚酰亚胺膜(22)的气相沉 积、溅射或电化学沉积工艺。
5.权利要求4的方法，所述气相沉积、溅射或电化学沉积工艺包括用 铝或铜沉积聚醚酰亚胺膜(22)的表面(24)。
6.一种制造电容器(10)的方法，包括：
通过改变分子结构，在氟化的气氛中等离子体处理聚醚酰亚胺膜(22) 的表面(24)；
金属化该表面(24)；
在该聚醚酰亚胺膜(22)上设置电极(20)；以及
封装该电容器(10)；
其中
聚醚酰亚胺膜(22)具有在300-700kV/mm之间的范围内的击穿电压， 且
所述聚醚酰亚胺膜(22)包含纳米填充物。
7.权利要求6的方法，该氟化的气氛包括四氟化碳。
8.电容器(10)，包括：
由聚醚酰亚胺膜(22)制成的电介质层，该聚醚酰亚胺膜包括至少一个 等离子体处理的表面，其中所述至少一个等离子体处理的表面是氟化表面；
设置在该聚醚酰亚胺膜(22)的该氟化表面上的金属化层(32)；以及
设置在该聚醚酰亚胺膜(22)的侧上的电极(20)；
其中
该电介质层(22)具有在300-700kV/mm之间的范围内的击穿电压，且
所述电介质层(22)包含纳米填充物。
9.权利要求8的电容器(10)，其中该电介质层(22)具有在-50℃至 250℃之间的范围内的操作温度。
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