[发明专利]电子系统及其电池模块

说明书

技术领域

本发明是有关于一种电子系统及其电池模块，且特别是有关于一种具有突波电流抑制控制电路的电子系统及其电池模块。

背景技术

请参照图1，其所示为传统电子系统的方块图。传统电子系统10包括电子装置110及传统电池模块120。传统电池模块120用以提供电子装置110所需的电力，而电子装置110例如为笔记本电脑、数字摄影机、数字相机和个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)等等。

请参照图2，其所示为当传统电池模块与电子装置耦接瞬间所产生的突波电流的波形图。然而，当图1所示的传统电池模块120与电子装置110耦接的瞬间，由于传统电池模块120对电子装置110中的储能元件开始充电，因此将于短暂时间内产生高达数十安培的突波电流(Surge Current)流入电子装置110，而容易造成突波电流流经的电子零件因超出电流负荷而烧毁。

发明内容

本发明有关于一种具有突波电流抑制控制电路的电子系统及其电池模块。突波电流抑制控制电路将抑制电池模块与电子装置耦接瞬间所产生的突波电流，以确保电池模块及电子装置的安全性。

根据本发明，提出一种电池模块。电池模块用于一电子装置，且电池模块包括电池(Cell)、放电开关电路及突波电流抑制控制电路。放电开关电路耦接至电池，且突波电流抑制控制电路用以控制放电开关电路，使得当电子装置与放电开关电路耦接时，电池经由放电开关电路逐步地增加流入电子装置的电流。

根据本发明，提出一种电子系统。电子系统包括电子装置及电池模块。电池模块包括电池、放电开关电路及突波电流抑制控制电路，且放电开关电路耦接至电池。突波电流抑制控制电路用以控制放电开关电路，使得当电子装置与放电开关电路耦接时，电池经由放电开关电路逐步地增加流入电子装置的电流。

本发明的效果：

本发明利用突波电流抑制控制电路来抑制电池模块与电子装置耦接瞬间所产生的突波电流，以确保电池模块及电子装置的安全性。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1所示为传统电子系统的方块图。

图2所示为当传统电池模块与电子装置耦接瞬间所产生的突波电流的波形图。

图3所示为依照本发明一较佳实施例的一种电子系统的方块图。

图4所示为依照本发明一较佳实施例的一种电池模块的部分电路图。

图5、6及7所示分别为依照本发明较佳实施例的突波电流量测波形图。

具体实施方式

请参照图3，其所示为依照本发明一较佳实施例的一种电子系统的方块图。电子系统30包括电子装置310及电池模块320，而电池模块320更包括电池322(Cell)、放电开关电路324及突波电流抑制控制电路326。放电开关电路324耦接至电池322，由电池322经由放电开关电路324对电子装置310放电。

为了避免电池模块320与电子装置310耦接的瞬间产生过大的突波电流(Surge Current)，突波电流抑制控制电路326将控制放电开关电路324，使得电池模块320与电子装置310耦接时，电池322经电池放电开关电路324逐步地增加流入电子装置310的电流。

请参照图4，其所示为依照本发明一较佳实施例的一种电池模块的部分电路图。图3所示的电池放电开关电路324进一步包括：晶体管Q2、电阻R21及保护集成电路3242，然本技术领域的技术人员，应当知道保护集成电路3242仅为本发明附加技术的一例子，并不用以限制本发明权利范围。而图3所示的突波电流抑制控制电路326进一步包括：电容C21、电阻R38、电阻Rr、晶体管Qa及晶体管Qb。

晶体管Q2例如为P型金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，MOSFET)，而晶体管Qa及晶体管Qb例如为N型金氧半场效晶体管。电容C21及电阻R21的两端分别耦接至晶体管Q2的源极与闸极，且电容C21例如介于0.1~0.4μF之间，而电阻R21例如为470KΩ。晶体管Qb的汲极经电阻R38耦接至晶体管Q2的闸极，且晶体管Qb的闸极经电阻Rr耦接至晶体管Q2的源极。

晶体管Qa的源极及汲极分别耦接至一接地端及晶体管Qb的闸极。其中，当电池模块320与电子装置310耦接时，晶体管Q2的汲极及晶体管Qb的源极分别耦接至电子装置310，且晶体管Qb的源极例如被耦接至电子装置310内部的系统接地端。