[发明专利]半穿透半反射式液晶显示面板及其像素结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种半穿透半反射式液晶显示面板及其像素结构，尤其涉及一种具有高开口率的半穿透半反射式液晶显示面板及其像素结构。

背景技术

在液晶显示器的制造上，像素开口率的大小直接影响到背光源的利用率，也影响到面板的显示亮度。影响开口率大小的主要因素，即是透明导电电极与数据线(data line)之间的距离，若欲追求较大的开口率，在布局时必须缩短透明电极与数据线之间的距离。然而，当透明导电电极与数据线过于接近时，其所受到的杂散电容(Cpd，capacitance between pixel and data line)会变大，导致像素电极(pixel electrode)上充饱的电荷在下个画面(frame)转换前，会因数据配线传送不同电压，而产生串音效应(cross talk)。

为减少杂散电容的效应，已有许多方式被研究，例如增加储存电容的大小，其可降低杂散电容占影响一个子像素单元(sub-pixel)所有电容的比率；另外，当像素电极与数据配线间有稳定电场屏蔽时，可降低数据配线对像素电极的寄生电容(parasitic capacitance)；此外，OIS(Optical Imaging Systems)还提出，利用曝光成型(photo-imaged)及旋转涂布(SOG，spin on glass)方式涂布的有机低介电常数绝缘膜(organic insulator film，K＝2.7～3.5)，可降低数据配线与像素电极间的电容效应，使像素电极可重叠(overlap)到数据配线上。

然而，上述方式会造成若干对于显示效果或工艺上的不良影响，而有待进一步的改善。举例来说，若以增大面积的方式增加储存电容，会影响像素开口率。有机低介电常数绝缘膜本身具有吸湿(water adsorption)、黄化(yellowed)及界面附着性(interface adhesion)不佳的问题，进而影响工艺合格率(yield)及产出速度(throughput)。

此外，对于半穿透半反射式液晶显示器而言，部分产品的规格要求低反射率，例如反射率小于3％，也就是反射区的面积占显示区的总面积的比例小于3％，在此状况下要将薄膜晶体管元件与储存电容同时设置于反射区内并完全被反射电极所遮蔽在设计上存在着极大的困难，由于薄膜晶体管元件为必要元件而无法省略，若要完全不影响穿透区开口率，势必需要缩小储存电容的尺寸，一旦储存电容偏低将容易产生漏电问题，并进而造成微亮点或微暗点的产生，影响显示品质。因此，如何在不影响开口率的前提下增加半穿透半反射式液晶显示器的储存电容，实为半穿透半反射式液晶显示器的发展上一重要课题。

发明内容

本发明的主要目的之一在于提供一种半穿透半反射式液晶显示面板及其像素结构，以提升储存电容与开口率。

为达上述目的，本发明提供一种半穿透半反射式液晶显示面板的像素结构，包含：基板，具有像素区，该像素区包含反射区与穿透区；数据线，沿第一方向设置于该基板上，该数据线包含第一数据线区段与第二数据线区段，其中该第一数据线区段与该第二数据线区段通过连接洞电连接；共通电极，设置于该基板上，该共通电极包含至少一个第一共通电极区段，沿该第一方向设置于该穿透区，且与第二数据线区段相重叠；扫描线，沿第二方向设置于该基板上，其中该扫描线与该第二数据线区段由第一导电层所构成，该第一数据线区段与该共通电极由第二导电层构成；穿透电极，设置于该穿透区内，其中该穿透电极与该共通电极彼此绝缘并至少部分重叠；反射电极，设置于该反射区内，并与该穿透电极电连接；以及薄膜晶体管，与该扫描线与该数据线电连接。

根据本发明的像素结构，其中所述共通电极还包含至少一个第二共通电极区段，沿所述第二方向设置于所述穿透区，且电连接于所述第一共通电极区段。

根据本发明的像素结构，其中所述第二共通电极区段设于所述反射区与所述穿透区的交界处。

根据本发明的像素结构，其中所述第一共通电极区段与所述第二共通电极区段大体环绕所述穿透区。

根据本发明的像素结构，还包含调整层，设置于所述反射区内，且所述反射电极设于所述调整层上。

根据本发明的像素结构，其中所述反射电极至少暴露出所述调整层的倾斜表面。

根据本发明的像素结构，其中所述共通电极还包含至少一个第二共通电极区段，沿所述第二方向设置于所述穿透区，所述第二共通电极区段大体位于所述调整层的倾斜表面下方。

根据本发明的像素结构，所述反射电极具有连接电极，电连接所述穿透电极。